GBT12604.10-2011无损检测术语磁记忆检测.pdf 9页

'ICS19．100J04a亘中华人民共和国国家标准GB／T12604．10一20”无损检测术语磁记忆检测Non-destructivetesting--Terminology--Termsusedinmagneticmemorytesting2011-06-16发布2012—03—01实施宰瞀髅鬻瓣訾糌瞥星发布中国国家标准化管理委员会厘111 刖昌GB／T12604．10—201I本标准按照GB／T1．1—2009给出的规则起草。本标准由全国无损检测标准化技术委员会(sAc／Tc56)归口。本标准起草单位：爱德森(厦门)电子有限公司、中国特种设备检测研究院、北京航空材料研究院、北京航空航天大学、华北电力科学研究院、装甲兵工程学院、上海泰司检测科技有限公司。本标准主要起草人：林俊明、陈钢、徐可北、沈功田、雷银照、胡先龙、董世运、胡斌。 1范围无损检测术语磁记忆检测本标准界定了金属磁记忆检测的术语和定义。本标准适用于磁记忆检测和无损检测及其他相关领域。2术语和定义GB／T12604．10—20112．1金一磁记忆metalmagneticmemoryMMM在环境磁场中，铁磁性金属材料或焊缝由于制造、冷却或工作载荷形成的应力集中或损伤产生不可逆的残余磁性现象。注：环境磁场包括地磁场和其他外部磁场。2．2自有渭磁场self-magneticleakagefieldSMLF由于工作应力或者残余应力的作用产生于铁磁性金属材料或焊缝表面的位错滑移稳定带或组织最大不均匀区域的磁场。2．3磁记忆检测magneticmemorytestingMMT以对铁磁性金属材料或焊缝表面的自有漏磁场进行分析为基础，确定金属和焊缝的应力集中或损伤区域为目的的一种无损检测方法。注：自有漏磁场为磁记忆检测的表征。2．4磁记忆显示图magneticmemorytestingdisplay；MMTdisplay磁记忆信号幅值与扫查时间或位移变化之间的轨迹图形。2．5磁记忆异常信号abnormalmagneticmemorysignal磁记忆检测仪在被检件表面扫查获取的随时间或空间突变的信号。2．6磁记忆检测通道MMTchannel磁记忆检测仪器采集、处理磁记忆信号的物理通道。2．7多通道磁记忆检测仪muitichannelmagneticmemorytestinginstrument具有多个检测通道的磁记忆检测仪器。2．8磁记忆传感器MMTsensor具有拾取磁记忆信号并转化为电信号的检测元件或单元组件。1 GB／T12604．10—2011Z．9磁记忆阵列传感器MMTarraysensor按直线、矩阵等方式规则排布的多单元集成的传感器。2．10磁位错磁滞回线magneto-dislocationhysteresis在弱磁环境中，由于位错团在磁畴壁的钉扎引起的磁滞回线。2．”局部稳定性破环区的临界值criticalsizeofthelocalzone5ofinstabilityoftheshellofacompo-nentf。铁磁性金属工件在载荷作用下丧失稳定性而产生的金属层两个最近滑移稳定带之间的最小距离。洼：金属工件的临界值由两个最近的自有漏磁场极值之间的距离表示，该极值与壳体尺寸成倍敦关系。2．12自有渭磁场的强度SMLFintemity用磁记忆检测方法在铁磁性金属材料或焊缝表面测得的漏磁场强度的参数。2．13自有蔫磁场的梯度SMLFgradient在两个检测点测得的法向漏磁场强度的差值与两点间的距离之比的绝对值。2．14梯度因子factorofSMLFgradient自有漏磁场的最大梯度值与其平均值之比。2．15强屈评价因子evaluatingfactorofthematerialdeformationcapability相应于金属强度极限的自有漏磁场最大梯度值与相应于金属屈服极限的自有漏磁场平均梯度值之比。2．16两个检潮通道之间的基准距离basedistancebetweentwoMMTchannels△L调整传感器时设定的两个测量通道之间的距离。2．17磁记忆信号的记录间距distancebetweentwoadjacentMMTsignalrecordingpoints记录磁记忆信号时两个相邻测量点之间的距离。2．18磁记忆检测仪的标定calibrationoftheequipmentusedtomeasurethemetalmagneticmemory磁记忆检测仪的标定包括对磁场强度测量的标定和测量距离的标定，对磁场强度的标定是在参考磁场中调整磁记忆仪器和传感器，使仪器显示与参考磁场一致的过程；对测量距离的标定是在参考长度上调整长度测量传感器使磁记忆仪器显示与参考长度一致的过程。2．19干扰因素mtoffeeefactors使被检测对象的磁记忆信号失真的因素。注：干扰因素主要包括：1)检测对象附近存在的强磁场豫和不均匀磁场源}2)检测对象上存在外来的铁磁制品；2 GB／T1260410—203)检Ⅻ目§t存Ⅱ∞外部m场目$自自*∞《自．4)弃在人Im化等。220磁记忆信号平面显示图MMTsignalpl姐ardisplay以被检对象表面x(或y或z)轴方向磁场强度为横坐标，y(或Z或X)轴方向磁场强度为纵坐标显示磁记忆信号随时同或位移变化的二维轨迹图形。如图1。图1平面显示国(与时基扫描同屏显示)磁记忆信号时基显示围MMTsignaltjm帅aSedisplay在仪器屏幕水平方向上连续标出随时间变化的磁记忆信号图形。如图2a)口*i}横E囤2磁记忆信号时基显示图 图3图2(续)磁记忆信号A扫描显示围MMTsignalA-scandisplay用带有定位功能的磁传感器进行检测，并在仪器屏幕相应标尺上连续标出礁记忆信号的图形。如200o6000loooOl4000l80002200o2600o300Do3400o3800oa)日*＆i横￡固3磺记忆信号A扫描显示囤 0。?”。：。：oj二01；煳i攒二；器船捌．。0。28”3000003200340．0i：?品。b)曲墁Ⅱi模式图3(续)223磁记忆信号极坐标显示囤MMTsignalpolarc∞一inat％display用带有定位功能的磁传感器进行周向植测时．在仪器屏幕相应极坐标上标出自有漏磁场强度值的闭合曲线。如田4。。i篱2400≥3000”⋯、通一／／。＼=1／高hL／／名^)日*Ⅱi模式图4磁记忆信号极坐标显示圈 圈4(续)224磁记忆信号色斑显示图MMTsignalco]orandsplashdisplay用带有定位功能的，同一方向的阵列磁传感器进行检测时，在仪器屏幕相应位置上连续标出以不同颜色代表的自有漏磁场强度值图形。囤5磁记忆信号色斑显示围225磁记忆信号三雏显示固MMTsignalthmdimensiomdisplay用阵列磁传感器单敬扫查或单个磁传感器多次扫查自有橱醴场强度值时-在空间平面(X-Y)上形成的关于自有漏磁场强度(Bx或Bv或Bz)的图像。 謦』'