GBT13178-2008金硅面垒型探测器.pdf 10页

'ICS27．120F88a雪中华人民共和国国家标准GB／T13178—2008代替GB／T13178--1991金硅面垒型探测器Partiallydepletedgoldsiliconsurfacebarrierdetectors2008—07-02发布2009—04—01实施丰瞀鹃紫瓣警矬瞥星发布中国国家标准化管理委员会“19 刖罱GB／T13178—2008本标准参考了IEC60333：1993《核仪器半导体带电粒子探测器测试程序》。本标准代替GB／T131781991《金硅面垒型探测器》(以下简称原标准)。本标准保留GB／T13178--1991的大部分内容，对其的主要修改如下：——增加前言；一引用新的规范性文件；——产品的外形及结构尺寸仅保留A型，删去原标准的B型和c型；——部分耗尽金硅面垒型探测器的分类仅保留最小耗尽层深度为300／Lm一类，而主要性能增加“允许最大噪声”。本标准由中国核工业集团公司提出。本标准由全国核仪器仪表标准化技术委员会归口。本标准起草单位：中核(北京)核仪器厂。本标准主要起草人：李志勇。本标准所代替标准的历次版本发布情况为：GB／T131781991。 金硅面垒型探测器GB／T13178--20081范围本标准规定了部分耗尽金硅面垒型探测器(简称探测器)的产品分类、技术要求、测试方法、检验规则等。本标准适用于部分耗尽金硅面垒型探测器(不包括位置灵敏探测器)。锂漂移金硅面垒型探测器也可参照执行。2规范性引用文件下列文件中的条款通过本标准的引用而成为本标准的条款。凡是注日期的引用文件，其随后所有的修改单(不包括勘误的内容)或修订版均不适用于本标准，然而，鼓励根据本标准达成协议的各方研究是否可使用这些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件，其最新版本适用于本标准。GB／T5201带电粒子半导体探测器测试方法(GB／T5201--1994，neqIEC60333：1993)GB／T10257--2001核仪器和核辐射探测器质量检验规则3术语和定义以及符号3．1术语和定义下列术语和定义适用于本标准。3．1．1面垒型半导体探测器surfacebarriersemiconductordetector由表面上的反型层产生的结形成势垒的半导体探测器。3．1．2耗尽层(灵敏层)depletionlayer半导体探测器中对辐射灵敏的那一层半导体材料，粒子在其中损耗的能量可转换成电信号。3．1．3部分耗尽partialdepletion耗尽层深度小于半导体材料基片的厚度。3．1．4灵敏面积sensitivearea探测器中辐射最易进入耗尽层的那部分表面。3．1．5半高宽(FWHM)fullwidthathalfmaXimum在谱线中，由单峰构成的分布曲线上，峰值一半处两点问横坐标之差。3．1．6能量分辨力energyresolution探测器分辨入射粒子能量的能力。通常以规定能量射线谱线的半高宽表示。3．2符号和代号下列符号和代号适用于本标准。 GB／T13178—20083．2．1a分辨力对“1Am源5．486MeV的a粒子，使用标准电子学设备，成形时间常数常为0．5ps时，所测出的整个系统的分辨力(keV)。3．2．2p分辨力在3．2．1同样条件下，由脉冲产生器信号峰的半高宽(FWHM)模拟8粒子的分辨力(keV)。3．2．3E1、E2分别代表能量为5．486MeV及5．443MeV。3．2．4N，、Ⅳ2分别代表能量E1、易所对应的道址。3．2．5AM以道址表示的“1Am源5．486MeV的a粒子峰的半高宽。3．2．6AⅣI以道址表示的产生器信号峰的半高宽。4产品的结构4．1产品的外形及结构尺寸产品的外形见图1，结构尺寸见表1。◎Ⅳ——半导体探测器的有效直径mmC——探测器的外径mm；D——引线电极高度mm；H——探测器外壳高度mm。『一l图1部分耗尽金硅面垒型探测器 GB／T13178～2008表1部分耗尽金硅面垒型探测器结构尺寸单位为毫米标称值灵敏直径WCHD512815612192029263716．530427．54052——5066106076注：w公差为士O．5mm，C、H、D公差为士0．3mm。4．2探测器的标记探测器的标记由型号及技术特性代号两部分组成，其表示方法如下G尽金硅面垒型探测器注：技术特性代号中的位数可根据实际情况扩展。4．3探测器的规格及系列部分耗尽金硅面垒型探测器系列由圆型和环型部分耗尽金硅面垒型探测器系列组成。探测器按不同的灵敏面积，耗尽层深度及对a粒子的分辨而分类，探测器的分类分别列于表2。表2圆形部分耗尽金硅面垒型探测器的分类和主要性能保证的最大分辨力最小耗尽层深度／#ra灵敏直径／ramkeV口N30051579GM一15005—300817910GM15—008—3001218i01lGM15—012—300202215GM一15—020—30026251819GM一15026—30030262021GM一15—030—30040423034GM一15—040—30050554050GM一15—05030060705565GM—15060—300注：N为允许最大噪声。3 GB／T13178—20085技术要求5．1外形、尺寸与外观要求外形、尺寸与外观要求如下：a)探测器的外形、尺寸应符合4．1。b)探测器的灵敏面应光滑平整，所涂胶环应均匀美观，不应有拉丝，胶环宽度应不影响有效面积。金层要完整、无划痕，灵敏面上应有保护盖。c)探测器软引线应完整，焊点要牢固，无虚焊、脱焊。硬引出电极应清洁光亮并配有固定螺丝。5．2主要技术性能主要技术性能如下：a)圆形部分耗尽金硅面垒型探测器在参考条件下的主要技术性能见表2。b)探测器的电流一电压特性、电容一电压特性、噪声、死层能量损耗、灵敏层厚度等性能由各制造厂家给出。5．3探测器对环境条件的适应性5．3．1探测器工作的温度范围探测器工作的温度范围为一20℃～+30℃，在此温度范围内分辨力a值不超过参考条件下的20％。5．3．2探测器的真空性能探测器可在1．4X10“Pa条件下工作，分辨力a值不超过参考条件下的20％。5．3．3探测器在非工作状态下的稳定性探测器在非工作状态下，一般经下列环境条件之后，仍能稳定工作：a)温度：在30℃和+50℃下，分别放置4h；b)湿度：在湿度为(851；)％，温度为30℃下放置24h。包膜、灌封的探测器的湿度可提高到(95±；)％；c)振动：加速度10g，频率50Hz，试验时间20min；d)冲击：加速度10g，频率50Hz，试验时间2min；e)运输：探测器经包装运输在三级公路的路面上，以25km／h～40km／h的车速行驶，行驶距离150km～350km，或利用运输颠振试验台模拟上述条件在实验室内进行。6测试方法6．1测试环境若无特殊规定，探测器各项技术性能的测试均在参考条件和标准试验条件(见表3)下进行。在试验不产生疑义时，测量可在大气环境条件下进行。表3测试探测器性能的参考条件和标准试验条件影响量参考条件标准试验条件正常大气条件环境温度／℃2018～2215～35相对湿度／％6550～7545～75真空度‘／Pa1．336．65～o．665环境7辐射／(btGy／h)0．1