GBT14264-1993半导体材料术语.pdf 21页

'669-87UHD8C0AIMSEEMP中华人民共和国国家标准GB/T14264一93半·导体材料术语Semiconductormaterials-Termsanddefinitions1993一03一12发布1993一12一01实施国家技术监督局发布 中华人民共和国国家标准半导体材料术语cs/T14264一93Semiconductormaterials-Termsanddefinitions1主肠内容与适用范困本标准规定了半导体材料及其生长工艺、加工、晶体缺陷和表面沾污等方面的主要术语和定义.本标准适用于元素和化合物半导体材料。2一般术语2.1半导体semiconductor电阻率介于导体与绝缘体之间，其范围为10-"^-10"fl"cm的一种固体物质.在较宽的沮度范围内，电阻率随温度的升高而减小。电流是由带正电的空穴和带负电的电子的定向传抽实现的.半导体按其结构可分为三类:单晶体、多晶体和非晶体。2.2元素半导体elementalsemiconductor由一种元素组成的半导体。硅和锗是最常用的元索半导体。2.3化合物半导体compoundsemiconductor由两种或两种以上的元素化合而成的半导体，如砷化稼、稼铝砷等.2.4本征半导体intrinsicsemiconductor晶格完整且不含杂质的单晶半导体，其中参与导电的电子和空穴数目相等。这是一种实际上难以实现的理想情况。实用上所说的本征半导体是指仅含极痕量杂质，导电性能与理想情况很相近的半导体。2.5导电类型conductivitytype半导体材料中多数载流子的性质所决定的导电特性。2.6n-型半导体n-typesemiconductor多数载流子为电子的半导体。2.7p-型半导体p-typesemiconductor多数载流子为空穴的半导休。2.8空穴hole半导体价带结构中一种流动空位，其作用就像一个具有正有效质量的正电子电荷一样。2.9受主accepter半导体中其能级位于禁带内，能“接受.价带徽发电子的杂质原子或晶格缺陷，形成空穴导电。2.10施主donor半导体中其能级位于禁带内，能向导带“施放”电子的杂质原子或晶格缺陷，形成电子导电。2.11载流子carrier固体中一种能传输电荷的载体，又称荷电载流子.例如，半导体中导电空穴和导电电子。国家技术监，局1993一03一12批准1993一12一01实施 GB/T14264一932.12载流子浓度carrierconcentration单位体积的载流子数目。在室温无补偿存在的情况下为电离杂质的浓度。空穴浓度的符号为P,电子浓度的符号为n,2.13多数载流子majoritycarrier大于载流子总浓度一半的那类载流子。例如，P型半导体中的空穴。2.14少数载流子minoritycarrier小于载流子总浓度一半的那类载流子。例如，P型半导体中的电子。2.15杂质浓度impurityconcentration单位体积内杂质原子的数目。2.16深能级杂质deep-levelimpurity一种化学元素，当其引入半导体中，形成一个或多个能级。该能级距导带底、价带顶较远，且多位于禁带中央区域，介于n型和p型掺杂剂杂质能级之间。2.17复合中心recombinationcenter半导体中对电子和空穴起复合作用的杂质或缺陷.2.18补偿compensation半导体内同时存在施主杂质和受主杂质，施主杂质施放的电子为受主杂质接收，其作用相互抵消。2.19耗尽层depletionlayer荷电载流子电荷密度不足以中和施主和受主的净固定电荷密度的区域.又称势垒区、阻挡层或空间电荷层。2.20红外吸收光谱infraredabsorptionspectrum当半导体受到红外光的辐射时，产生振动能级的跃迁。在振动时伴有偶极矩改变的原子，吸收红外光子所形成的光谱，2.21红外吸收系数infraredabsorptioncoefficient(IR)波长为A的红外光通过半导体试样，试样透过率倒数的自然对数与试样光程之比。单位为cm-,2.22电阻率(体)resistivity(bulk)单位体积的材料对与两平行面垂直通过的电流的阻力。一般来说，体电阻率为材料中平行于电流的电场强度与电流密度之比。符号为P，单位为0"cm.2.23电导率conductivity电阻率的倒数，它等于载流子浓度、电子电荷和载流子迁移率的乘积。符号为。，单位为(a·cm)一，。2.24电阻率允许偏差alowableresistivitytolerance晶片中心或晶锭断面中心的电阻率与标称电阻率的最大允许差值，它可以用标称值的百分数来表示。2.25径向电阻率变化radialresistivityvariation晶片中心点与偏离晶片中心的某一点或若千对称分布的设定点(典型设定点是晶片半径的1/2处或靠近晶片边缘处)的电阻率之间的差值。这种电阻率的差值可以表示为中心值的百分数。又称径向电阻率梯度。2.26薄层电阻sheetresistance一种薄层导电材料的电学性质，其值等于薄层电阻率除以薄层厚度。又称方块电阻。符号为R=单位为n/口。2.27扩展电阻spreadingresistance导电金属探针与半导体触点间的测量电阻，它由探针附近的半导体电阻率决定。 GB/T14264一93二探针twopointprobe测员材料平均体电阻率的一种电探针装置。在柱形样品两端通以直流电流，测量垂直压在被测样品侧而上的两根金属探针间的电位差。ULI探针fourpointprobe测坛材料表面层电阻率的一种电探针装置。排列成一直线、间距相等的四根金属探针垂直压在样品表而上，使直流电流从两外探针之间通过，测量两内探针间的电位差。迁移率mobility载流子在单位电场强度作用下的平均漂移速度。在单一载流子体系中，载流子迁移率与特定条件日则定的礼尔迁移率成正比。迁移率的符号为P，单位为cm"/(V"s),2.31租尔效应Halleffect若对通电的样品施加垂直磁场，由于罗伦兹力的作用，则在垂直于电流与磁场的方向上有横向电势‘差出现，该效应为霍尔效应。所产生的横向电场为霍尔电场。霍尔电场的大小与磁感应强度及电流密度成正比。比例系数R，称为霍尔系数，其计算公式为:R=二士Y/ne式中，“+”、“一”号分别对应空穴导电和电子导电，Y是一个与散射机构、样品温度、能带结构及磁场强度有关的因子，n为载流子浓度,e为电子电荷。单位为m"/C,2.32露尔系数Hallcoefficient见2.31条。2.33报尔迁移率Hallmobility霍尔系数和电导率的乘积(RHa)，与迁移率有相同的量纲，通常将这个量叫做霍尔迁移率，用pH表示:PH二}RH川2.34寿命lifetime2.34晶体中非平衡载流子由产生到复合存在的平均时间间隔，它等于非平衡少数载流子浓度衰减到起始值的1/e(e=2.718)所需的时间。又称少数载流子寿命，体寿命。2.34非平衡少数载流子扩散长度的平方除以扩散系数所得商，而扩散系数是设定的或由载流子迁移率测址确定的。寿命符号为r，单位为Hs,2.35各向异性anisotropic在不同的结晶方向具有不同的物理特性。又称非各向同性，非均质性。2.36结品学表示法crystallographicnotation用特定符号表示结晶学品面和晶向的方法。晶面()，如(111)晶面族{}，如{111)品I句[〕，如[111]晶向族()，如(111)密勒指数Millerindices以点阵常数度址晶面在三个晶轴上截距的倒数的一组最小整数比，又称晶面指数，常用以标记晶Inr。2.38劳埃法Lauemethod用连续能谱的X射线投射到固定的单晶体上，满足布拉格定律的X射线得到反射，对反射出的X射线进行晶体分析，以确定晶体宏观对称性的一种衍射方法。品向。rvstallo"raphicdirection GBIT14264一93通过空间点阵中任意两个阵点的直线所表示的方向.2.40晶面crystallograhpicplane通过空间点阵中不在同一直线上的三个阵点的平面。取向偏离off-orientation晶片表面法线与晶体结晶方向偏离的一定角度.2.42正文晶向偏离orthogonalmisorientation(111)单晶片作取向偏离时，晶片表面法向矢量在(111)的投影与平行于主参考面和法向矢量最近邻的<110)在(111)上的投影所构成的角。见图1,图1正交晶向偏离示意图2.43主参考面primaryflat指规范化圈形晶片上长度最长的参考面，其取向通常是特定的晶体方向。也称第一参考面.2.44副参考面secondaryflat指规范化画形晶片长度小于主参考面的平面。它相对于主参考面的位置标记该晶片的导电类型和取向。又称第二参考面。2.45解理面cleavageplane晶体受到机械力作用时，沿晶体结构所确定的某一晶面劈裂，这种劈裂面称为解理面。2.46外延层epitaxiallayer在半导体衬底上生长且与衬底材料有相同结晶学取向的薄层。若薄层材料与衬底材料相同，称同质外延层。若薄层材料与衬底材料不相同，则称异质外延层.2.47扩散层diffusedlayer采用固态扩散工艺，将杂质引入单晶，使单晶表面层形成的相同或相反导电类型的区域.2.48埋层buriedlayer外延层班盖的扩散区，又称副扩散层或膜下扩散层。2.49薄层边界layerboundary衬底与薄层的界面.2.50界面interface GB/T14264一93两相或两体系(如衬底和外延层)间的区域。p-n结p-njunction同一块半导体单晶内彼此相邻接的p型和n型的界面区域。双极型器件bipolardevices既用空穴又用电子作为荷电载流子的半导体器件.集成电路integratedcircuit把一个电路的大量元器件集合于一个单晶片上所制成的器件。3材料及其生长工艺3.1晶体crystal在三维空间中由原子、离子、分子或这些粒子集团按同一规律作周期性排列所构成的固体。3.2晶锭ingot一种棒状半导体，通常其直径是不均匀的或为原生态的多晶休或单晶体。3.3多晶半导体polycrystallinesemiconductor由大量结晶学方向不相同的单晶体组成的半导体.3.4孪晶twinnedcrystal在晶体内晶格是两部分，彼此成镜象对称的晶体结构。连接两部分晶体的界面称为李晶面或李晶边界.在金刚石结构中，例如硅，李晶面为(111)面。3.5单晶singlecrystal不含大角.晶界或孪晶界的晶体。3.6无位错单晶，toDsinglecrystal位错密度小于500cm一的单晶。3.7衬底substrate用于外延沉积、扩散、离子注入等后序工艺操作的基体单晶片.3.8化学气相沉积chemicalvapordeposition(CVD)通过化学反应制备一种表面薄膜状产品的工艺.外延生长是化学气相沉积的一种特例.3.9外延epitaxy用气相、液相、分子束等方法在衬底上生长单晶薄层的工艺.在衬底上生长组分与衬底材料相同的单晶薄层，称同质外延，在衬底上生长与衬底组分不同的单晶薄层，称异质外延。3.10气相外延vaporphaseepitaxy(VPE)在气相状态下，将半导体材料沉积在衬底上，使其沿着衬底的结晶轴方向生长出一层单晶薄层的工艺。3.11液相外延liquidphaseepitaxy(LPE)把半导体材料溶解在溶剂中，使其形成饱和溶液，然后把此饱和溶液砚盖在单晶衬底上，降低温度，在衬底上沿衬底结晶轴方向生长出新的半导体单晶薄层的工艺。3.12分子束外延molecularbeamepitaxy(MBE)在超高真空下，使衬底保持在适当高温，把一束或多束分子连续沉积到衬底表面而得到超薄单晶层的工艺。3.13同质外延homoepitaxy见3.9条。3.14异质外延heteroepitaxy见3.9条。3.15溅射法sputteringmethod GB/T14264一93在衬底表面制备半导体、金属或非金属薄膜的一种方法。一般是在充惰性气体的低真空系统中，通过高压电场的作用，使惰性气体电离，产生气体离子流，去轰击靶阴极(溅射材料)，被溅射出的靶材料原子或分子沉积在衬底表面上而形成薄膜.3.16掺杂doping把半导体材料的非本体元素、合金或化合物痕量掺入半导体中，获得预定的电学特性的过程。3.17重掺杂heavydoping半导体材料中掺入的杂质量较多，通常杂质浓度大于1011c.-"，为重掺杂。3.18离子注入ionimplantation将杂质离子在真空中加速到一定的能量后，打到半导体晶片上，离子以高速度穿过晶体表面而进入体内，经过不断与晶体的原子碰撞而速度减慢，最后终止在晶体一定的深度。经过适当热处理，达到掺杂的目的。3.19自掺杂autodoping(self-doping)在外延生长过程中，不是特意加入的杂质引起的掺杂现象。3.20补偿掺杂compensationdoping向p型半导体中掺入施主杂质或向n型半导体中掺入受主杂质，以达到反型杂质电学性能相互补偿的目的。3.21中子嫂变掺杂neutrontransmutationdoping(NTD)用中子流辐照硅单晶锭，使晶体中的Si"0殖变成磷原子而使硅单晶掺杂。NID单晶的特性是掺杂杂质在晶体纵向和径向分布特别均匀。3.22掺杂剂dopant为了获得预定的导电类型和电阻率而痕量掺入半导体中的物质。通常为周期表中的H,，族或v,明族中某一种化学元素.3.23直拉法verticalpullingmethod(Czochralskigrowth)(Cz)沿着垂直方向从熔体中拉制单晶体的方法。又称切克劳斯基法。3.24悬浮区熔法floatingzonemethod(FZ)将晶锭垂直固定，在下端放人籽晶，利用熔体的表面张力，在籽晶上方建立熔区，然后以一定的速度垂直向上进行区熔，将晶锭提纯制成单晶的方法。3.25水平法horizontalcrystalgrowthmethod沿着水平方向生长单晶体的一种方法。3.26磁场拉晶法magneticfieldczochralskicrystalgrowth(MCZ)晶体生长时，外加磁场，抑制熔体的热对流，熔体温度波动小，是一种生产高质量单晶的新方法。按照磁场相对于单晶拉制方向有横向磁场法和纵向磁场法。3.27吸除gettering使硅片中有害杂质固定于远离器件有源区域的工艺。4材料加工切割cutting把半导体单晶锭切成具有一定晶向和一定厚度的工艺。研磨lapping利用研磨液，把切割片磨成具有一定几何参数的晶片的工艺。腐蚀etching用腐蚀液去除表面沾污、机械加工损伤，控制晶片厚度以及显示晶片表面缺陷形状和分布的工艺各向同性腐蚀isotropicetching GB/T14264一93通常是指不同的结晶学平面呈现出相同腐蚀速率的腐蚀方法.4.5各向异性腐蚀anisotropicetching沿着不同的结晶学平面，呈现出不同腐蚀速率的腐蚀方法。4.6择优腐蚀preferentialetching沿着特定的结晶学平面，呈现腐蚀速率加快的腐蚀方法。4.7化学机械抛光Chem-Mechpolishing利用化学和机械作用去除材料表面沾污及损伤层，使其获得镜状表面的一种工艺。4.8抛光面polishedsurface晶片抛光后获得的如镜面状完美的表面。4.9正面frontside制造有源器件的晶片表面。4.10背面backside与晶片正面相对的面.4.11晶片slice从晶锭切割下的片状晶块。在改变原生晶片晶体结构的后序工艺前进行整形与抛光。晶片通常有:切割片、研磨片、腐蚀片和抛光片.4.12掺杂片dopingwafer经工艺处理已变成含有附加结构.可进入器件加工工艺的半导体基片。4.13直径diameter横穿回片表面.通过晶片中心点且不与参考面或圆周上其他基准区相交的直线长度.4.14厚度thickness通过晶片上一给定点垂直于表面方向穿过晶片的距离。4.15晶片厚度thicknessofslices晶片中心点的厚度。4.16厚度允许偏差allowablethicknesstolerance晶片厚度的测量值与标称值的最大允许差值。4.17总厚度变化totalthicknessvariation(TTV)在厚度扫描或一系列点的厚度测量中，所测晶片的最大厚度与最小厚度的绝对差值。4.18中心面mediansurface与晶片的正面洒面等距离的点的轨迹。4.19弯曲度bow晶片中心面凹凸形变的一种度量，它与晶片可能存在任何厚度变化无关。弯曲度是晶片的一种体性质而不是表面特性。4.20翘曲度warp晶片中心面与基准平面之间的最大和最小距离的差值。翘曲度是晶片的体性质而不是其表面特性。4.21晶片机械强度mechanicalstrengthofslices晶片抗破碎与翘曲的内在力学性能。4.22平整度flatness晶片表面与基准平面之间最高点和最低点的差值，它是一种表面性质。4.23固定优质区fixedqualityarea(FQA)晶片表面除去距标称边缘为x的环形区域后所确定的那部分区域，且包括距标称圆周距离为a的所有的点。见图2, GB/T14264一93巨标.边份为名的去眯民垃图2固定优质区示意图4.24线性厚度变化linearthicknessvariation(LTV)晶片的正面和背面能用两个非平行平面表示的晶片厚度变化.4.25非线性厚度变化nonlinearthicknessvariation(NTV)宏观非均匀厚度变化。此种晶片的剖面近似于凸透镜或凹进镜的剖面.4.26边缘凸起edgecrown距晶片边缘3.2mm处的表面高度与晶片边缘处高度之间的差值。单位为Jim.4.27例角edgerounding晶片边缘通过研磨或腐蚀整形加工成一定角度，以消除晶片边缘尖锐状态，避免在后序加工中造成边缘损伤。4.28崩边。hip晶片边缘或表面未贯穿晶片的局部缺报区域，当崩边在晶片边缘产生时，其尺寸由径向深度和周边弦长给出。见图3.d妒心和图3崩边示意图4.29缺口indent上下贯穿晶片边缘的缺损.见图4. GB/T14264一93图4缺口示意图30刀痕sawmarks晶锭切割时，在晶片表面留下的圆弧状痕迹。31退刀痕sawexitmarks切割时由刀片退出引起的晶片圆周上的一些小缺口或小崩边缺损。32划道scratch在切割、研磨、抛光过程中晶片表面被划伤所留下的痕迹，其长宽比大于，1,33重划道macroscratch抛光片在白炽灯和荧光灯下，深度等于或大于。.12pm的肉眼可见的划道。34轻划道microscratch抛光片在荧光灯照明下，深度小于。.12pm肉眼看不见的划道。35沟棺groove抛光过程中没有完全去除的边缘光滑的划道。36波纹waves在大面积漫散射光照射下，抛光片表面上肉眼可见的波形外貌。37凹坑dimple在适当的光照条件下，抛光片表面上肉眼可见的一种具有渐变斜面呈凹面状的浅坑.38探针损伤probedamage由探针操作引起的距离等于探针间距的坑状局部损伤.39残留机械损伤residualmechanicaldamage晶片经过切、磨、抛加工之后，表面残留下来的没有完全去除的机械损伤。40亮点brightpoint硅片研磨或抛光后，表面上残留下来一些孤立的机械损伤点.呈现为有可观察到的孤立的小亮点.41嵌入磨料顺粒imbeddedabrasivegrain在切磨抛过程中，由于机械作用压人晶片表面的磨料顺粒。42裂纹。rack延伸到晶片表面，可能贯穿.也可能不贯穿整个晶片厚度的解理或裂痕。43‘裂痕fracture见4.42条。44鸦爪crows"feet在(111)晶面上呈鸦爪形，(100)晶面上呈“+”字形特征的可能贯穿晶片厚度的解理或裂痕。晶体缺陷5.1晶体缺陷crystaldefect原子偏离理想晶格中有规则的排列，这种偏离，严重影响晶体的力学、电学和其他特性.缺陷可分为 GB/T14264一93三类:点缺陷、线缺陷和面缺陷。5.2块状结构blockstructure因晶体生长工艺变化，使晶体产生不均匀性而引起的形变。5.3点缺陷pointdefect晶体结构中，与空位(或空位团)、间隙原子有关的晶体缺陷，当择优腐蚀点缺陷时，呈现浅腐蚀坑。5.4位错dislocation晶体中由于原子错配引起的具有伯格斯矢量的一种线缺陷.5.5位错腐蚀坑dislocationetchpit在晶体表面的位错应力区域，由择优腐蚀而产生的一种界限清晰、形状规则的腐蚀坑。5.6位错密度dislocationdensity单位体积内位错线的总长度(cm/cm")。通常以晶体某晶面单位面积上位错蚀坑的数目来表示.cm-2,5.7堆垛层错stackingfault晶体内，原子平面的正常堆垛次序错乱形成的一种面缺陷，简称层错。通常，堆垛层错仅存在于一个晶面上。如果层错终止在晶体内部，它将终结在一个不全位错上.在{111)晶面上，层错呈分立的或相交的封闭等边三角形，或者呈不完全的三角形。在{100)晶面上，层错呈现为一封闭的或不完整的正方形。每个这样的图形称为一个堆垛层错。5.8层错fault见5.7条。5.9氧化层错oxidationinducedstackingfault(OSF)晶片表面存在机械扭伤、杂质沾污和微缺陷等时，在热暇化过程中其近表面层长大或转化的层错。5.10滑移slip晶体的一部分对于另一部分由切向位移产生的但仍保持晶体结晶学性质的塑性变形过程.滑移的方向常常在一个特殊的结晶学平面上，锗和硅的滑移方向位于{111)晶面的(110)方向上。滑移是一种包括位错通过晶体运动在内的非均匀变形过程。5.11滑移线slipline沿着滑移面滑移时，在晶体表面形成的线。5.12晶粒间界grainboundary固体内，一晶粒与另一晶位相接触的界面，简称晶界.该界面上的任一点至少构成两个晶向差大于1。的晶格点阵。5.13小角晶界low-anglegrainboundary晶体中相邻区域晶向差别在几分之1‘到10的晶粒间界。化学腐蚀后呈现的一个腐蚀坑顶对另一个腐蚀坑底直线排列的位错组态.5.14位错排dislocationarray一种位错蚀坑的某一边排列在一条直线上的位错组态.5.15系属结构lineage小角晶界或位错排的局部密集排列.5.16星形结构starstructure一系列位错排沿(110>方向密集排列成星状结构。在(111)面上，星形结构呈三角形或六角形组态，在{100)面上，呈井字形组态。5.17夹杂inclusion晶体中存在的异质顺粒.5.18徽缺陷microdefect10 cs!T14264一93晶体中缺陷尺寸通常在徽米或亚微米数量级范围内的缺陷，如堆垛层错、氧沉淀等.微缺陷是无位错区熔和直拉硅单晶中常见的一类缺陷。5.19沉淀物precipitates晶体生长时，达到溶解度极限的掺杂剂形成的局部富集物。5.20杂质富集impurityconcentrating在生长重掺杂单晶时，如果杂质在晶体中的分凝系数K<<1，在晶体尾部，由于熔体杂质浓度过高，组分过冷而使杂质局部富集，当晶体中杂质浓度超过其固溶度时发生的杂质析出现象。5.21管道piping在重掺杂单晶中，沿晶体纵向形成的管道状杂质富集区域‘5.22六角网络turretnetwork在重接杂单晶尾部的横断面上，呈现的一组其外围是杂质富集条纹的封闭的六角环状网络。5.23杂质条纹striation晶体生长时，在旋转的固液界面处发生周期性的温度起伏.引起晶体内杂质分布的周期性变化.在晶体的横截面上，该变化呈同心圆状或螺旋状条纹。这些条纹反映了杂质浓度的周期性变化，也使电阻率局部变化。择优腐蚀后，在放大150倍下观察，条纹是连续的。5.24淤祸swirl无位错单晶择优腐蚀后肉眼可见的呈螺旋状或同心圈状条纹分布，在放大150倍观察呈现不连续状。5.25电阻率条纹resistivitystriation见5.23条。5.26温度圈temperaturecircle由于温度起伏，在硅多晶的徽断面上引起结晶致密度、晶粒大小或颐色的差异，晶粒呈现出以硅芯为中心的年轮状结构。5.27氧化夹层oxidelamella硅多晶横断面上呈同心圆状结构的载化硅夹杂。5.28雾haze在抛光片和外延片上由徽观表面不规则性(如高密度的小坑)引起的光散射现象。雾很严重时，在晶片表面上能观察到窄束钨灯灯丝的影象.5.29桔皮oringepeel在荧光照明下，晶片表面呈现的一种肉眼可见的形如枯皮状特征的大面积不规则粗糙表面。5.30小丘mound晶体表面出现的由一个或多个不规则小平面构成的无规则形状的凸起物。它们可能是材料体内缺陷或各种杂质沾污的延伸，或两者兼有。5.31被谁pyramid外延层表面的一种突起物。梭锥一般是由衬底与外延层界面处各种不完整性引起的，在(111)晶片上，通常由三个李晶四面体生长构成.其生长速率比外延层平均生长速率快1.2倍，形成了高的凸起物.该凸起物有充分清晰的小平面和高度的对称性.5.32钉spike外延层表面凹处中心篮衍生长的一种长而细的枝英状或丝状结晶.6夜面沾污6.1沾污contaminant晶片表面上肉眼可见的各种外来异物的统称.大多数情况下，沾污通过吹气(干操氮气)、洗涤剂清’11 GB/T14264一93洗或化学作用可以去除。6.2污物dirt用预检查溶剂清洗不能去除的表面沾污，它们可能是表面上的外来物质.诸如局部区域有污迹、色斑、染色、斑纹等等，或者由外来物质薄膜引起的呈现大面积雾状或云状外貌。6.3痕迹mark真空吸盘、真空吸笔或使用不清洁的镊子夹持晶片边缘等所引起的表面局部沾污。环绕整个边缘区域的痕迹，可能是包装引起的.6.4污迹smudge通常由操作或指纹引起的一种密集的局部沾污。6.5夹痕chuckmark见6.3条。6.6微粒particulate晶片表面上明显分立的小顺粒.在平特光照射下呈现为亮点或亮线.6.7溶剂残留物solventresidue溶剂的挥发组分燕发后残留下来的物质。残留物或来自溶剂本身，或已被溶剂溶解又重新沉淀出来的物质。6:8蜡残留物waxresidue从几种可能的蜡源转移到晶片上的一种很难去除的蜡薄膜。6.9斑点spot洗涤剂、溶剂或蜡残留物液滴的痕迹。6.10‘色斑stain条纹状沾污。化学腐蚀后可观察到呈白色或棕褐色条纹状的“色斑”。这种条纹是化学作用形成的，除非进一步的研磨或抛光，一般不能除去. GB/T14264一93附录A汉语拼奋套引(参考件)多数载流子多晶半导体:一;，凹坑”..........................................4.37皿二探针··”·“···”·”·····”·“···“··一2.28半导体“·“·“·“··“”·“·，·”·”···”··⋯2.1斑点······“···“。·。·，·，.····“。”·“。:6.9薄层边界··”···”······”·”·”。“···“⋯2.49非线性厚度变化··，””·”···“·”·“·“一4.25薄层电阻”·“·“·.·”··”··”····“·.·“⋯2.26分子束外延···“·“··””··““···”·”·“一3.12背面·.···“····”·“··””·”·”···”·“一4.10腐蚀”·“······“·“·”···”·”·“·····“一4.3本征半导体·····”···”·”·.······”··⋯2.4副参考面··”·····“·“·”·“··”“·”··”:2.“崩边”·“·“·”·········，.·”·，·。··“··⋯4.28复合中心··“·”·····，··“·····”···”一2.17边缘凸起“·“·”·“···”，”··”····”··“。:4.26波纹”·“·····”·····”·”·“···“··””一4.36补偿”·”········”···“···”····“··”一2.18各向同性肩蚀“·”·”··““···，.··一’”’·4.4补偿拾杂”·”·”·”·”···”·”·”···”⋯⋯3.20各向异性”·”·····”·”·“·····“···“一2.35各向异性腐蚀····”·”·，.·”·“·“·⋯‘”4.5沟箱”··““·”·”···”一:’”·“·”·”··一4.35残留机械损伤“·”··““·“·”·“·“·“··一4.39固定优质区·············“···“·”··一4.23层错··。·········‘······，·，·，·，，············⋯⋯5.8管道·····一”二，.，。······⋯⋯。“·“，·”，·5.21扮杂”·“··“··“·····”··········⋯⋯3.16拾杂荆“·”···“···”·”··⋯⋯，.·⋯⋯3.22拍杂片··“····”··。”···“·“。”·“··”“⋯4.12耗尽层··”·”·“·“·”·”·”·“·“·”···“一2.19沉淀物····“····”·”···“·“·”·，.·“·”一5.19痕迹··”···“·“·“·，.·”·”··“··”·”·”·⋯6.3衬底··“···“·“·······”·”·”·“·“··一3.7红外吸收光谱”···”·”·“···”···“·“一。2.20滋场拉晶法···“·“。“·”，”·”，，·····“··⋯3.26红外吸收系致·，·，”·······“·”···一。2.21厚度“·“·“··。····”·”·“·“·”···”·“一4.14厚度允许偏差“··，”·····””·”·“·“·”一5.16单晶”·“·····”······“·“·”·”·····”一3.5划道“...........................................4.32刀痕·”“·”····”··“·”·“·“·······”⋯4.30清移·“·”······””·“········”·”·”·“⋯5.10导电类型···········”···“·”···“·“。:2.5滑移线“···“·”·“·“·”·“·”···“···”一5.11例角”·“·“·“······””·”·”，，”“·‘⋯⋯4.27化合物半导体”·”·“····“·“·“·“·“·”一2.3点缺陷··“···········”···，”·，···“·····一5.3化学机械摊光················‘·····”⋯⋯4.7电导率·”“···············，”·“··“，.⋯2.23化学气相沉积·····，”·“·“···”·”··一3.8电阻率·············”···“，”···“··一2.22粗尔迁移率“···“·”·”·“·“····”·““一2.33电阻率条纹······”·”·“·····“····一5·25粗尔系数”·“·“···”·”···“·”···”·”⋯2.32电阻率允许偏差···”··”·········“·⋯2.24粗尔效应·”·”“··.“一。”·”·“···..”一2.31钉··”···“···“。·······”·”·”···“··⋯5.32 GB/T14264一93一集成电路”·········”·········”·”····“一2，”抛光面夹痕····“··“······“··”············““·65平整度4.22夹杂·····”····”···”·········”·”·”···一5.17溅射法······“··，·，··‘““····，··‘··“···⋯⋯3.1510p-n结”····”·”··“”······“·“······“·⋯2.51气相外延“·”·······“··············⋯⋯3.30结晶学表示法········，”·”·······“··⋯2.36迁移率”·····“，”·”·····””.··”····“⋯2.解理面“·“··“”·····“··“”·“·“·”··一2.45嵌入磨料颗粒界面·“”·”·”···“·”·············“·一2.50翘曲度··”二:.;;切割j1，二晶锭····“···”，···“····，””·“····”·”，一3.2，J晶粒间界·““·”····”···”·”····“·”·”一5.12轻划道“·“·”·.··“·“·····“············一4.J任.1任取向偏离“，”.⋯-“.“二”.·⋯⋯“⋯⋯。”.2.1晶面·······““···”·“·“·”······“，”·”一2.40缺口，0晶片···”·”··“······“···”··“··“·”··一4n4.U口晶片厚度.··.·..·..·..·..·..·....⋯⋯生⋯⋯4.15晶片机械强度”··””·“··””·······””一4.21溶剂残留物.······“···，·“····“··”·⋯6.7晶体···“··”·········“··“·······“·”··⋯3.1晶体缺陷···“···“一:.”·“·“··“.”“一5.1晶向····································”⋯⋯2.39四探针“·“·”···”···“··········“···⋯⋯2.29径向电阻率变化·””····””····“·“··””·2.25少数载流子··“··”··”······“··”····一2.14枯皮···”·”······“·”··””，“·”·”··““一5.29色斑··，”·········“·····‘···”·····‘”，”⋯6.10深能级杂质·······“················⋯⋯2.16施主·······“·“·”·····“.····””·”·“一2.10空穴，’”·，.·“····““··”··““·“·”，”一2.8乃双极性器件“............................”一2.52块状结构“·······“··“·”····“······”一5.‘月，水平法”····“·“·“·“·”······“·“·····一3.25扩散层“··“···”·”·”···”·····”···“·“一2.性口，，寿命·............................................2.34扩展电阻“··“·”··········”·“·“··⋯⋯2.目.受主“·”··”··“，“·“·”····“·”··”···”一2.9蜡残留物“··.:“········“·“··””···“一6.8探针损伤劳埃法”...................................。一2.38同质外延棱锥.......................................“一5.31退刀痕离子注入，“·”··“二‘····“·“·”·”···一3.18W亮点”··”“········”“········“·“·”·，·一4.40裂痕······”“·”·”·”···“·”··”····“一4.43外延··“·“·······“·“··””·”······“”·3.9裂纹·············““····”······“····”⋯4.42外延层”·”·”·······“”···”········”一2.46六角纲络·········“··········“···“·”，”一5.22弯曲度”........................................4.19孪晶·············”·”····“”···”·”·”一3.4微缺陷····”·····”·”·········“·”··”·”⋯5.18微粒“·”·········”·“····”·“·“·“···⋯⋯6.6M位错“·”·”········“·”········”··⋯⋯5.4埋层···.········”··””··“···””，··.·一2.48位错腐蚀坑“·”·····“·····”··”·······一5.5密勒指数···················，····“·，····一2.37位错密度”·······”············“··“····”，’·5.614 GB/T14264一93H位错排················“··“····“·““⋯5.14液相外延·14温度圈····“··············“···········⋯⋯5.26异质外延·污迹·，.”···············“··，.“·······⋯⋯64元素半导体无位错单晶·······“··················⋯⋯3.6污物··”·····························⋯⋯6.2雾”··”······”·····”··············“·⋯⋯5.28杂质富集·......................................5.20杂质浓度···“····“···············”·”··⋯2.15杂质条纹·······”············”·····“”⋯5.23匕1匕J1J系属结构⋯.载流子“····“·“·············，.·······“⋯2.n空勺行1吸除.·..⋯⋯曰.山载流子浓度··”··”··················”“⋯2.12月q通线性厚度变化性.乙择优腐蚀···“························⋯⋯4.6亡，q小角晶界“二口.1口沾污···”··············”·······“”·······“⋯6.1匕6nJj小丘“二‘⋯⋯…分正交晶向偏离····”·”············”··⋯⋯2.42亡l暇星形结构··⋯口iU正面·····”····.···”····”····”····”··””·49乃心n型半导体‘U直径···“······””···”····“·······⋯⋯4.136门‘了p型半导体…直拉法······“··”····”··········“····，.⋯3.23qn连口‘悬浮区熔法二﹄重掺杂·············“··················⋯⋯3.17七六Jd‘任重划道·············”·”·”·”“····“····⋯⋯4.33漩涡.·..⋯⋯总厚度变化··········”···”···········一4.17中心面······，.“··，.“········”·········⋯⋯4.18鸦爪·”··”··””···“·“·“·”·”··”⋯⋯44中子嫂变掺杂”········”············⋯⋯3.21研磨·”·-··””··”·”“·····””·····”··⋯主参考面····””·····”········”·······⋯⋯2.43氧化层错·······”·”··⋯⋯‘“’:’二’·‘’·堆垛层错···”················”········⋯⋯5.7氧化夹层“···“二，’·“·“·····“····“一‘二27自掺杂·“·······························“·⋯3.19附录B英文索引(参考件)accepter”·············“····················““··“·“·······“···”·“········································一2.9allowableresistivitytolerance....................................................................................2.24allowablethicknesstolerance“·.⋯。··⋯⋯.。。““。“..’......⋯.⋯“·”⋯”....⋯⋯.“·····⋯⋯.4.16anisotropic······“··········“···“·“····““······”····“·”“·“····“····“··”“·”············⋯⋯.2.35anisotropicetching”···········”·”·”·”··””·”····”·“······“·”·”·”····”···”················⋯⋯4.5autodoping(self-doping)··················”··········”···”·····································“⋯⋯3.19backside{.10bipolardevices{。52blockstructure，.2bowL1915 GB/T14264一93brightpoint二。·.······.··..·....·······.⋯⋯。.·⋯⋯。...·····...··.··.·..⋯⋯，4.40buriedlayer··⋯⋯。二。.··········.........···...⋯⋯。二。二。二。二。二。二。.⋯。·⋯⋯2.48carrier.....⋯”二。.................”二”·⋯⋯“.，.二，”，⋯。“。.。“.......................................2.11carrierconcentration.·⋯.“:“。⋯“”....一”···一”，”。”。”。⋯““.“二，，.·⋯“·⋯”二””⋯⋯“.2.12chemicalvapordeposition(CVD)“·”·”·”···“······“··”········“·”·”····“·“····”·”·”····“··一3.8Chem-Mechpolishing···“····”···”·”···“·“·“·“·”·”·“·“·”·”················”·····“·“·”·⋯4.7chip······················”·····················································································⋯⋯4.28chuckmark二。“⋯。。····.·.···⋯⋯。.”二。..·⋯⋯“.⋯”，”。..⋯。⋯“。.“二。.。⋯。·.，二。二。.”.”.·⋯。。.⋯。.”6.5cleavageplane·””····“····”····”··””··“·····“”··”···”·“·”·“······“····”··”·”···“··”“·“·”一2.45compensation...............................................................................··“·“··““.........2.18compensationdoping“·“·”·····”·““·”·”·”·“·····“”·”·”·”·”·····“·“···”······”·“”·”··⋯⋯3.20compoundsemiconductor”··”···“·“···”·”··”·，.··”·”···”··。·“一””····“····”·“·”·····⋯⋯2.3conductivity”·”····”..·“·“·“····”·”一”，“·”·“·”⋯“··”“·”·”·”··”“·“·”·“·”·”·“·“·”·”⋯2.23conductivitytype·····“·”·“·“·”··”··“·“·“·“，”····“·“·“·”·”·”····”···”····”····“····”···一2.5contaminant.................................“二“.。“.“·”，”。.。“。“。”。”。.·····.⋯⋯”。”⋯”.“.“.”.“，6.1crack，.···”·“·“··”···········.............................................................................4.42crows"feet.....................”二。.................................................................................4.44crystal..................................................................................................“二“........3.1crystaldefect····”·········，·.··································..································”·········⋯⋯5.1crystallographicdirection·””·”··”··“·“·“·”·”·.“·“·”·”··””·“···“·”·”··”······““····”⋯2.39crystallographicnotation···“·“····”·”·”·“···“··””··““·”··””···“···”·“·”····”·⋯!’···“⋯2.36crystallographicplane“····”，”·······“·“·”·“······“··““·”··”··“·“·“·”·”·.·····“···“··”“·⋯2.40cutting............................................................................................i....................4.1deep-levelimpurity·····“·“·”·”·”··””·“·“·”·”·”·“·“···”·”···”·····“·”·”·”·”..·“·”⋯2.16depletionlayer····”···········“···“·”·”··”“·“···”·”·”··““··””·”··””·”····“·“··””·”⋯⋯2.19diameter”·”·”·····””········“”·”·”··””·”··“··”，”·”····““·”·”·····，.·······“·”·”·”······一4.13diffusedlayer“····“·“·“·”·····””·····““·“·“·····，”·”·”·”·”·”·“·“··”·”······”·····“··，.··““·2.47dimple，·，”····“····“······”···，······“···“·“·“·······”·“，，”·”“····“‘“·“·”·”，··，”·“·““···‘·“一4.37dirt·一:.““一“·“·““·“·”，·””·”·”··““·“·····，·，··“·.··”·”·”····“·，-···”·”·····..······“一6.2dislocation····””·”·”·“·”··”····“·“·”·”·”·.··“··““·”·”····“·“·“·，.·”·”·.·.·“···”·”·”一5.4dislocationarray”······“····“·“·“·”·”·”····“·，··”·””·····““·”·”··”····“···”·“·“·”·，.·”⋯5.14dislocationdensity“·“·“·······””·”·”·”·“·“····”·”·”····“·”·”·”·”·····““·“·“·”·”..·..····一5.6dislocationetchpit”·“·“··········”········””·“·········“·“·”··········““·”，”·”·”·······“·“·“一5.5donor，⋯⋯.。·⋯。.”···⋯⋯，.，.”.””.”.⋯⋯‘·。.“”.”.⋯。”。.。“。“。”。⋯.⋯“”。。“”。.“”。.。”二”2.10dopant..................................................................................................................3.22doping.·............................................................................................................“一3.16dopingwafer··········”····“····“·”·”·”··““······”·”·”····“··““·”··，·”···“····“·”·”····”·⋯4.12edgecrown4.26 GB/T14264一93edgerounding··············“·”····“·”····”···········”·”····“”····“·”···········“······“⋯⋯4.27elementalsemiconductor·”“··”·········”···········“·····“·····，········”··············..·.⋯⋯2.2epitaxy··········‘····”，.····””························“··““········‘，，··“·····“·········“······⋯⋯3.9epitaxiallayer”··“·”·””·”·”·”····”········“·”··“···“···“······.·········”···········“···，”，··一2.46etching“··““‘”···”，”·”.·····”·····‘·.···，.··”，”·“·“·“·“···········”·，·····““····“···”···一4.3Ffault”·”。”·”·”⋯“.“。:.“.“二””。”。”⋯⋯，.·“。:.“。“.“。.。”。”二””··.·..’⋯⋯“。”.“.”.。·。”·5.8fixedqualityarea(FQA)”·”·”·”·······“·“···”··””·”·”···“·”·“·”·“··“··..·.⋯⋯‘·......一4.23flatness4.22floatingzonemethod(FZ)3.24fourpointprobe.............................................................................................”一，一2.29frontside·“⋯.““·”。.”“。”。”。”⋯。”⋯“。:.“.“。“。”。”。”。二”。二。一“·。““。“。”。”。.。:.。二，，。。二。·4.9fracture4.43Ggettenng3.27grainboundary5.12groove4.35HHallcoefficient............................“.......................................................................2.32Halleffect“·“·“··，”.”·.·.·.·“.“·“·“·”，”一”·”·.·“二”“·“·”，······”·”·······.。“·“·”·”一2.31Hallmobility”·‘·，···””··””·”·····”·”，····一”··”“·“··············””·”·”·“·”···“·”····”··”一2.33haze..·⋯⋯”二‘。..⋯。二。，.。二。二。二。⋯.⋯”·⋯。二。二。二。.⋯。..⋯。二。·⋯“二。.................................5.28heavydoping..:......................................................................................................3.17heteroepitaxy“·“·”·“·“·”·”一“·”二‘“·“·.·“·”·“·”·”···”·“···“·“·“·“·”·”·”·”···”·”一3.14hole”·“·“”·”·”·”·”·”··..·.·“··········“··””·”·”·“··“”·“·“·”·”·”·”二”···”·“·······“一2.8homoepitaxy···········“·“···“·”·”·“·”·”·”····“·“·“·”·“·“···”··”“···“···“·“···“”·⋯⋯3.13horizontalcrystalgrowthmethod·······”·”·”·”·”，”·“·.·“····”·”·”·”·”·.·”·“···”⋯”，“·3.25imbeddedabrasivegrain”·”·”····”·”···”···“·”·“··””·”一‘··”···“·“二’“’”’”一‘·，·”·”⋯4.41impurityconcentrating”········“·“·····“·“·”··””·············“，“·”·”·”··”··”·····“···一5.20impurityconcentration”··.“·.·”·“···“·”·”··””·”·“··“···“·“··””····”·”···············“·⋯2.15inclusion.”“.“。“·”.”。“。”。”。⋯””·”。二”.“。“。“.”.”.”。”·“··⋯”“。“。.。“。”。”二“·”···⋯⋯”5.17indent...........................................................................................................”一4.29infraredabsorptioncoefficient(IR).............................................................................2.21infraredabsorptionspectrum”·“····“······“··”·”··”·············“······”··”二’·‘·‘·····，··⋯2.20ingot“一“.“.“·.’·.·.·”·.·“·“·“·“···“·”·”·”·”·”·”··”···“···”·”·”·····”··“············一3.2integratedcircuit········“·“·“··““·“·”··”··”·”·”······“·“····“···”·”·”··”···········一2.53interface···⋯⋯“···················“··”“····，”····”·················“··”···········⋯⋯‘··“·······⋯⋯2.50intrinsicsemiconductor.””.“。.。⋯.。”。·⋯.，二。..................................................“二，”.⋯”2.417 cB/T14264一93ionimplantationisotropicetching34..148Llayerboundary2.49lauemethod····.·····....······⋯2.38lapping·····”···············”··⋯4.20nJ自J“lifetime.................···“··⋯’:亡I亡lineage·······，··“····”····”·⋯口立︺连叮通‘linearthicknessvariation(LTV)﹄，，，，J盖.liquidphaseepitaxy(LPE)........孟百1，low-anglegrainboundary·⋯⋯﹂，孟JMmacroscratch......................................................”一‘··⋯’·‘·····”····”·“··········⋯⋯4.33magneticfieldczochralskicrystalgrowth(MCZ)···”·”···”····，’·······”··············。“·······一3.26ma沁ritycarrier·····”·················“.·.·”····“····，”·“·⋯‘，’·“···”，”·”·····“·⋯“··⋯2.13mark····‘···············⋯⋯‘····，··················”··，·””··························，·····，············⋯⋯6.3mechanicalstrengthofslices“··“··”··········”······”···，.··⋯‘·······””··”··········⋯⋯4.21mediansurface·············“·“·“······⋯⋯”·······”···“·”·.·“‘·“····””····”·······“⋯⋯，.·⋯4.18microdefect·””··“··”····””··”····”·····“······”·”············“·“·······“·“······”··“···⋯⋯5.18microscratch”‘“···“··”.，”····“，.·‘.“，.·..”·”·”··“··一“·“二“”，”·“，“·“二“”，‘二，...·“一4.34Millerindices.........................................................................................................2.37minoritycarrier“····“·，.··················”···”····”··············.··”·”······⋯⋯‘”····⋯⋯2.14mobility········.······························⋯⋯‘··············”··“二“···.····”················.⋯⋯2.30molecularbeamepitaxy(MBE卜·····”···”二‘”·”·”·······”·····”·····”···············⋯⋯3.12mound”·”··········‘··”·”·”·”·”·····“·，’······“······”···············“····””·····“··一5.30Nneutrontransmutationdoping(NTD)3.21n-typesemiconductor··········”·”二2.6nonlinearthicknessvariation(NTV)4.250off-orientation.....................................................................................................，二2.41orthogonalmisorientation··················”·····“·”····⋯⋯‘二‘·一”’·’·’·’⋯‘·‘·····“~2.42cringepeel5.29oxidationinducedstackingfault(OSF)5.9oxidelamella5.27Pparticulate6.6piping5.2118 GB/T14264一93p-njunction.·⋯’·⋯“⋯‘.‘2.51pointdefect⋯⋯’”一‘·’·‘5.3polishedsurface‘二‘二’二’二‘二’4.8polycrystallinesemiconductor3.3precipitates···”··⋯⋯.’·’·‘5.19preferentialetching4.6primaryflat·····“········”一2.43probedamage”······”·⋯’·‘4.38p-typesemiconductor····⋯⋯2.7pyramid5.31R2.5radialresistivityvariation·2.17recombinationcenter·⋯⋯4.39residualmechanicaldamage2.resistivity(bulk)··········⋯5.2resistivitystriation’-·..·.一Ssawexitmarks“···“·“·“····““·“·“·····一‘“”··““·“一“··“”·“·“·”··””··““·········⋯⋯4.31sawmarks·.·.·····.···.·.‘···.·.·····.⋯⋯。·“··⋯⋯。⋯。⋯“⋯。“·““..·.....⋯⋯““··.····.·.······⋯⋯4.30scratch·”···················.···.·····““····“·⋯⋯“········“···“··““·····”·“··”··············““⋯⋯4.32secondaryflat”·”·“·······””····”·”··”········“·““⋯，’“··“·····“··“·“·······“····⋯⋯.2.44semiconductor··················，.······.···········“··“·“···“··““·“·“··““·····”···“··“····一2.1sheetresistance·““·“·“·“·”·”·“··”“·“一.........................................................”一2.26singlecrystal.................................................................................................“一3.5抓ice················“·”·”·····””····”·“·”···”·”··”·””·”·”·”·”·”·········”··””··”·””····”一4.11slip·······“·““·”···········””·············“·····““·”·····”····””·············”······················⋯⋯5.10slipline····”···”···················”·········································“··“··················“····⋯⋯5.11smudge··········································“·······“·“·····“····“”·······“··”·········“·”·”··”···⋯⋯6.4spike··································”············”·············”··”·························“···············⋯⋯5.32spot························.·······“··············““·············“·······““····“··············““······⋯⋯6.9spreadingresistance···”····”·”······””·”·········”······················“·“······“···“··一2.27sputteringmethod··“·“·“·“·“··“······”·”··““··““·“·”·”·”·”·”·”··”·····”·”·”·····”“一3.15stackingfault·”··“········”··“··””··””·”········””·”·”··””·”·····“·”···”·······“·····“·⋯⋯5.7stain.·····⋯⋯。.”。·”“。”⋯”⋯⋯”二。”··⋯⋯.”·⋯””.”········⋯⋯”·⋯⋯“·····，.··⋯⋯6.10starstructure⋯⋯””..⋯””。·””·⋯⋯”⋯”·”.⋯⋯”。···········.·········⋯⋯“二。···⋯⋯5.16.striation·.⋯。⋯⋯“⋯“·.⋯“二。.⋯“.⋯““。“。·.⋯⋯“二“二。.⋯⋯”二“。二。二。...·····.....⋯⋯。二5.23solventresidue“··“·“·····“··“·“·“·“·”···“···········“····”·””·”·”···”······”···⋯⋯.6.7substrate······“”······“·”·“·····”·“·””·····““·”·····“·”··””·”·”·”··”·”·········”···”⋯3.7swirl.................................................................................................“二。“···.··⋯⋯5.24Ttemperaturecircle51.926 c91T14264一93thickness.........................................................................................................”一4.14thicknessofslices”·····““·“··““·“·“·“·”···”·”·”·“·”·”··“.·“···“·”··””·········“·⋯⋯.”4.15totalthicknessvariation(TTV)”·”·”·”·.·“···“·”·”.“·.·.·”·“·“，”·”···.·”·⋯⋯“·⋯.4.17turretnetwork·一，.’··”，”···”·”·”·”···“·”·”·”·”·“·“···”·“·“·”·····“·“····“·“·“··一5.22twinnedcrystal”·····”··，”·”···“·“·⋯。·一””·”一“”，.‘“.“··““⋯⋯.，..···‘·.-·‘⋯‘⋯.3.4twopointprobe“·····”·”·”，”·”·”·····”·“·“·”·”·”···”·“·“·“···”·”，·“”·”···“···“··一2.2RVvaporphaseepitaxy(VPE)”······”“···”··“······””···“··“·······“··，.“·········“”·”··一3.10verticalpullingmethod(Czochralskigrowth)(Cz)····”··“”······“·”·”·“····.·“···”·····”:3.23wwarp4.20waves............⋯⋯‘.......................................⋯⋯，.......⋯⋯，-..................⋯⋯‘.⋯⋯4.36waxresidue............................................-.......................................................⋯⋯6.8ZzeroDsinglecrystal3.6附加说明;本标准由中国有色金属工业总公司提出。本标准由中国有色金属工业总公司标准计最研究所负贵起草。本标准主要起草人吴福立、衰建忠。20'