GBT14844-1993半导体材料牌号表示方法.pdf 5页

'621-315-592UHDC80石旨中华人民共和国国家标准Gs/T14844一93半导体材料牌号表示方法Designationsofsemiconductormaterials1993一12一24发布1994一09一01实施国家技术监督局发布 中华人民共和国国家标准Gs/T14844一93半导体材料牌号表示方法Designationsofsemiconductormaterials1主题内容与适用范围本标准规定了半导体多晶、单晶、晶片和外延片产品牌号的表示方法。本标准适用于编制半导体材料的牌号。在编写国家标准和行业标准时，应采用本标准所规定的牌号表示方法。产品出厂时，应使用本标准规定的牌号标志。2牌号分类按照晶体结构和产品形状，半导体材料牌号分为多晶、单晶、晶片和外延片四类。3牌号表示方法3.，多晶牌号半导体多晶的牌号表示为:口一口一口一(口)一口1,2,3,4,5分别代表牌号的第一项至第五项。3.1.1牌号的第一项表示多晶的生产方法或特殊用途，或生产方法与特殊用途的组合，分别用英文的第一个字母或其字母组合的大写形式表示，其中:C表示铸造法;b.IR表示红外光学用途;c.R表示还原法;d.Z表示区熔法。3.1.2牌号的第二项中P表示多晶，分子式表示多晶名称。3.1.3牌号的第三项表示多晶的形状，分别用英文第一个字母的大写形式表示，其中:a.I表示棒状;b.N表示块状。3.1.4牌号的第四项中括号内的元素符号表示掺杂剂。3.1.5牌号的第五项中用阿拉伯数字表示多晶产品的等级。国家技术监督局1993一12一24批准1994一09一01实施 GB/T14844一933.1.6若多晶产品不强调生产方法或形状，或不掺杂等，其牌号相应部分可省略。3门了示例:a.PSi-N-1表示一级块状硅多晶;b.Z-PGe-1表示一级区熔锗锭;c.R-PGe-1表示一级还原锗锭。3.2单晶牌号半导体单晶的牌号表示为:口一口一口()一<)一一一11,2,3,4分别代表牌号的第一项至第四项。3.2.1牌号的第一项表示单晶的生产方法，分别用英文的第一个字母或其字母组合的大写形式表示，其中:a.Cz表示直拉法;b.FZ表示悬浮区熔法;c.HB表示水平法;d.LEC表示液封直拉法;e.MCz表示磁场拉晶法。32.2牌号的第二项用分子式表示单晶的名称。32.3牌号的第三项中用n或P表示导电类型，括号内元素符号表示掺杂剂，NTD表示中子嫂变掺杂法03.八月乙﹃…牌号的第四项用密勒指数表示晶向。3.n‘乙曰若单晶不强调生产方法或不掺杂时，其牌号的相应部分可省略。弓砂‘乙︺示例:s…Cz-Si-p(B)一(100)表示晶向为(100)的p型掺硼直拉硅单晶;bFZ-Si-n(NTD)一(111》表示晶向为(111)的n型中照悬浮区熔硅单晶;CHB-GaAs-n(Si)一(100)表示晶向为(100)的n型掺硅水平砷化稼单晶;d，LEC-GaA-(Cr+O)一《100)表示晶向为<100)掺铬和氧的液封直拉砷化稼单晶。晶片牌号半导体晶片的牌号表示为:口口一口一口()一<)丁下一下-丁5 Gft/T14844一931,2,3,4,5分别代表牌号的第一项至第五项。3.3.，牌号的第一项表示产品的生产方法或特殊用途，其符号表示同3.2.1条。另以以下英文第一个字母组合的大写形式表示为:a.CCD表示用于制作电荷藕合器件的晶片;b.IC表示用于制作集成电路器件的晶片;c.DD表示用于制作分立器件的晶片;d.SC表示用于制作太阳能电池器件的晶片。3.3.2牌号的第二项用分子式表示单晶的名称。3.3.3牌号的第三项表示晶片种类，分别用英文第一个字母组合的大写形式表示，其中:a.CW表示切割片;b.LW表示单面研磨片;c.BLW表示双面研磨片;d.EtW表示腐蚀片;e.PW表示单面抛光片;f.BPW表示双面抛光片;gDW表示扩散片;h.GW表示吸杂片。3.3.4牌号第四项中的符号表示同3.2.3条。3.3.5牌号的第五项用密勒指数表示晶向。3.3.6若晶片不强调晶体生产方法或特殊用途，或晶体不掺杂时，其牌号的相应部分可省略。3.3.7示例:a.Cz-Si-PW-n(Sb)-<111)表示晶向为(111)的n型掺锑直拉硅单晶抛光片，b.FZ-Si-BLW-n(NTD)-<111)表示晶向为<111)的n型中照悬浮区熔硅单晶双面研磨片。3.4外延片牌号半导体外延片的牌号表示为:口一口一口()一()1,2,3,4分别代表牌号的第一项至第四项。34.，牌号的第一项表示外延片的生长方法，分别用英文第一个字母组合的大写形式表示.其中:a.VPE表示气相外延;b.LPE表示液相外延;c.MBE表示分子束外延;d.MOCVD表示金属有机化合物化学气相沉积。3.4.2牌号第二项用分子式表示外延片的名称。3.4.3牌号的第三项表示外延片的结构，括号内用元素符号表示掺杂剂，分别用下列符号表示:a.n/n十表示在n十型衬底上生长n型外延层;b.p/p+表示在p+型衬底上生长P型外延层; GB/T14844一93c.n/p(或p/n)表示在p型(或n型)衬底上生长导电类型相反的外延层;d.n/I(或p/I)表示在绝缘衬底上生长n型(或p型)外延层;e.n/p/n表示在n型衬底上先生长p型外延层，再生长n型外延层，其他多层外延片结构表示方法以此类推。3.4.4牌号的第四项用密勒指数表示晶向。3.4.5示例:a.VPE-Si-n/n+(P/Sb)一<100)表示晶向为(100)衬底为重掺锑外延层掺磷的n型气相硅外延片;b.LPE-GaAs-n/n+(Sn/Te)一<100)表示晶向为(100)的衬底掺啼外延层掺锡n型液相砷化稼外延片。附加说明:本标准由中国有色金属工业总公司提出。本标准由中国有色金属工业总公司标准计量研究所负责起草。本标准主要起草人吴福立、袁建忠。'