GBT26069-2010硅退火片规范.pdf 8页

'ICS29．045H80a亘中华人民共和国国家标准GB／T26069--20102011-01—10发布硅退火片规范Specificationforsiliconannealedwafers2011—10-01实施丰瞀徽鬻瓣訾糌瞥霎发布中国国家标准化管理委员会促19 前言GB／T26069--201Q本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(sAc／Tc203／SC2)负责归口。本标准起草单位：万向硅峰电子股份有限公司、有研半导体材料股份公司、宁波立立电子股份有限公司和杭州海纳半导体有限公司共同负责起草。本标准主要起草人：楼春兰、孙燕、朱兴萍、宫龙飞、王飞尧、黄笑容、方强、汪成生、程国庆。 1范围硅退火片规范GB／T26069--2010本标准规定了半导体器件和集成电路制造用硅退火抛光片的要求、试验方法、检验规则等。本标准适用于线宽180nm、130nm和90nm工艺退火硅片。2规范性引用文件下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件，其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。GB／T1550非本征半导体材料导电类型测试方法GB／T1554硅晶体完整性化学择优腐蚀检验方法GB／T1555半导体单晶晶向测定方法GB／T1557硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法GB／T2828．1计数抽样检验程序第1部分：按接收质量限(AQL)检索的逐批检验抽样计划GB／T4058硅抛光片氧化诱生缺陷的检验方法GB／T6616半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测定非接触涡流法GB／T6618硅片厚度和总厚度变化测试方法GB／T6620硅片翘曲度非接触式测试方法GB／T6621硅抛光片表面平整度测试方法GB／T6624硅抛光片表面质量目测检验方法GB／T11073硅片径向电阻率变化的测量方法GB／T13387硅及其他电子材料晶片参考面长度测量方法GB／T13388硅片参考面结晶学取向x射线测试方法GB／T14140硅片直径测量方法GB／T14144硅晶体中间隙氧含量径向变化测量方法GB／T14264半导体材料术语GB／T19921硅抛光片表面颗粒测试方法GB／T24578硅片表面金属沾污的全反射x光荧光光谱测试方法YS／T26硅片边缘轮廓检验方法3术语和定义GB／T14264中界定的术语和定义适用于本文件。4要求4．1产品分类本标准将硅退火抛光片按线宽分为180nm、线宽130nlTl和线宽90nm三类。 GB／T26069--20104．2硅退火片的技术要求硅退火片的技术要求具体见表1所示。表1项目18011113,130Tlnl90nm退火前硅片状态(抛光硅片)1．0基本特性1-1生长方式CZ／MCZ1．2晶向<100>1．3型号P型1．4掺杂荆舶1．5边缘去除3mm2mm1．6其他掺杂剂氮或者碳由供需双方商定1．7表面晶向偏差0．00。±1．OO。2．0电学特性2．1电阻率(中心点)供需双方商定2．2径向电阻率变化≤20％3．0化学特性3．1氧含量／校正因子供需双方商定3．2径向氧含量变化士10％(边缘10mm)3．3碳含量≤0．5ppma4．0结构特性4．1系属结构无4．2孪晶界无4．3旋涡无5．0预备硅片状态5．1硅片标识供需双方商定5．2前表面薄膜不规定5．3表面吸杂不规定5．4背封不规定6．0几何尺寸6．1直径200mm土0．2mm300mm士0．2mm300r911"i"i土0．2mm6．2边缘抛光供需双方商定725／_im：E20Ⅱm6．3厚度775pm土20pm775pm士20弘m(切13或参考面)6．4总厚度变化(TTV)≤10pm2 表1(续)GB／1r26069m2010项目180llm130rlnl90nm7．O背表面特性7．1崩边无0．80(正面光泽7．2亮度(光泽度)不规定度的80％)7．3划伤(宏观)总长度≤0．25×直径8．0退火条件氢，氩或其他8．1退火环境(供需双方商定)退火后硅片的状态9．0退火后硅片的状态9．1边缘表面条件腐蚀或者抛光(供需双方商定)10．0退火后硅片的几何尺寸10．1翘曲度≤75p．m≤100“m≤100pm10．2平整度SFQR≤180nmSFQR≤130nnlSFQR<龟90nm11．0退火后硅片正表面的化学物质(表面金属含量)11．1钠≤1．3X1010cm一2≤1．3X10”crn_2≤1×10”cm一211．2铝≤1×10“cIn一2≤1X1011clrll一2≤1X1010cm一211．3钾≤1．3×101。crll一2≤1．3X10”cm2≤1x10”12111—211．4铬≤1．3×10”cIn_2≤1．3X10”cln。≤1×101⋯cnl11．5铁≤1．3×101。cm一2≤1．3X1010cm一2≤1×1010cm一211．6镍≤1．3X10”cmo≤1．3×1010cm一。≤1X1010crll一211．7铜≤1．3X1010cm川≤1．3x1010cm一2≤1×10”cnl一211．8锌≤1×10“cm一2≤1×1011cm一2≤1×10”cm一211．9钙≤1．3×1010cm一2≤1．3×101。cm一2≤1×101⋯cnl12．0退火后硅片正面的检查项目12．1滑移供需双方商定12．2氧化层错供需双方商定12．3划伤(宏观)无12．4划伤(微观)总长度≤0．25X直径12．5雾强光灯下无雾≤0．382@≥≤0．270@≥12．6总的局部光散射(整体LLS)／cm。120rimLSE90rimLSE90nmLSE12．7局部光散射(仅是COP)／cm2供需双方商定12．8其他正表面缺陷供需双方商定13．0退火后硅片背面的检查13．1沾污／面积供需双方商定3 GB／T26069--2010表1(续)项目180nm1301211190I"IITI13．2其他背面缺陷供需双方商定14．0退火后硅片的其他特性14．1铁含量供需双方商定14．2体微缺陷(BMD)刻蚀带深度供需双方商定14．3体微缺陷(BMD)密度供需双方商定14．4其他特性供需双方商定注：不规定，是指在本标准中不对该项目做出要求，如果客户对该项目有要求，则由客户给出规范。5测试方法5．15．25．35．45．55．65．75．85．95．105．115．125．135．145．155．165．17导电类型测量按照GB／T1550进行。电阻率测量按照GB／T6616进行。径向电阻率变化测量按照GB／T11073进行。晶向的测量按照GB／T1555进行。参考面长度的测量按照GB／T13387进行。主参考面晶向按照GB／T13388进行。晶体完整性检验按照GB／T1554进行。抛光片表面氧化诱生层错按照GB／T4058进行。直径测量按照GB／T14140进行。间隙氧含量的测量按照GB／T1557进行，间隙氧含量径向变化按GB／T14144的规定进行。厚度和总厚度变化的测量按照GB／T6618进行。翘曲度测量按照GB／T6620进行。平整度测量按照GB／T6621进行。表面质量检验按照GB／T6624进行。边缘轮廓的测量按照Ys／T26进行。局部光散射测量按照GB／T19921进行。表面金属含量测量按照GB／T24578进行。6检验规则6．1检查和验收6．1．1产品应由供方技术(质量)监督部门进行检验，保证产品质量符合本标准的规定，并填写产品质量保证书。6．1．2需方可对收到的产品按本标准的规定进行检验，若检验结果与本标准(或订货单)的规定不符时，应在收到产品之日起三个月内向供方提出，或由供需双方协商解决。6．2组批硅退火片以批的形式提交验收，每批应由同一牌号相同规格的硅退火片组成。4 6．3检验项目6．3．1每批硅退火片全检项目为厚度、电阻率、表面质量。6．3．2其他项目如需检验，由供需双方协商确定。6．4抽检方法GB／T26069--20106．4．1每批产品如属非破坏性测试项目，检测按GB／T2828．1的一般抽样方案进行，合格质量水平(AQL)值由供需双方协商决定。6．4．2如属破坏性测试项目，检测按GB／T2828．1特殊检查抽样方案进行，合格质量水平(AQL)值由供需双方协商决定。7包装、标志、运输和贮存7．1按照合同或订单中需方的要求，材料的生产厂或者供方在发货时，应提供本规范生产和检验的材料的合格证书及其检测报告。7．2硅退火片应在超净室内装入专用的硅退火片包装盒，外用洁净的塑料袋和铝箔袋双层包装密封。每个退火片盒上应贴有产品标签。标签内容至少应包括：产品名称、规格、片数、批号及日期。片盒装入一定规格的外包装箱，采取防震、防潮措施。7．3按本规范提供的硅片，应在每个包装箱或者其他容器以及每个片盒的外面贴上相应的标签。7．4包装箱外侧应有“小心轻放”、“防潮”、“易碎”等标识，并标明：a)需方名称，地点；b)产品名称，牌号；c)产品件数及重量；d)供方名称。7．5运输、贮存7．5．1产品在运输过程中应轻装轻卸，勿压勿挤，并采取防震、防潮措施。7．5．2产品应贮存在清洁、干燥的环境中。7．6需求方对合格证书、包装、贮存等有特殊要求时，应由供需双方商定。8订货单内容本标准所列材料的订货单应包括下列内容a)本标准编号；b)产品名称；c)产品批号；d)数量；e)生长方法；f)直径；g)晶向；h)厚度；i)取向基准；j)导电类型；k)掺杂剂； GB／T26069--20101)电阻率和径向电阻率变化m)氧碳含量；n)金属含量；o)背封；p)吸杂；q)氧化层错；r)其他。'