GBT26071-2010太阳能电池用硅单晶切割片.pdf 8页

'ICS29．045H80a雪中华人民共和国国家标准GB／T26071—2010太阳能电池用硅单晶切割片Mono-crystallinesiliconascutslicesforphotovoltaicsolarcells2011-01-10发布2011—10-01实施宰瞀嬲紫瓣警矬瞥鐾发布中国国家标准化管理委员会况19 刖置GB／T26071—2010本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC／TC203／SC2)归口。本标准起草单位：万向硅峰电子股份有限公司、上海九晶电子材料股份有限公司、西安隆基硅材料股份有限公司、洛阳鸿泰半导体有限公司、无锡尚德太阳能电力有限公司、江西赛维LDK太阳能有限公司，杭州海纳半导体有限公司。本标准主要起草人：楼春兰、郑辉、蒋建国、张群社、孙世龙、黄笑容、王飞尧、段育红、朱兴萍、方强、汪贵发、余俊军、袁文强、金虹。 1范围太阳能电池用硅单晶切割片GB／T26071—2010本标准规定了太阳能电池用硅单晶切割片(简称硅片)的技术要求、试验方法、检验规则和标志、包装、运输、贮存及质量证明书与订货单内容。本标准适用于直拉法(cZ／Mcz)制备的地面太阳能电池用硅单晶切割片。2规范性引用文件下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件，其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。GB／T1550非本征半导体材料导电类型测试方法GB／T1552硅、锗单晶电阻率测定直排四探针法GB／T1555半导体单晶晶向测定方法GB／T2828．1计数抽样检验程序第1部分：按接收质量限(AQL)检索的逐批检验抽样计划GB／T6616半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测定非接触涡流法GB／T6618硅片厚度和总厚度变化测试方法GB／T6620硅片翘曲度非接触式测试方法GB／T11073硅片径向电阻率变化的测量方法GB／T14140硅片直径测量方法GB／T14264半导体材料术语GB／T25076太阳电池用硅单晶GB／T26068硅片载流子复合寿命的无接触微波反射光电导衰减测试方法3术语3．1GB／T14264界定的以及下列术语和定义适用于本文件。线痕sawmarks在线切割过程中产生于硅片表面的切割痕迹。4要求4．1产品分类硅片按导电类型分为P型、n型两种类型；按外形可分为准方形和圆形两种。4．2规格准方形硅片按其边长分为125mmXl25mm、156mm×156mm，或由供需双方商定规格。圆形硅片按直径或对角线长度尺寸分为≠150inm、≠156mm、≠165mm和≠200mm。 GB／T26071—20104．3技术参数4．3．1硅片厚度及允许偏差硅片厚度、厚度偏差等几何尺寸参数应符合表1的规定，如用户有特殊要求时，由供需双方商定。表1硅片厚度、厚度偏差和几何参数单位为微米总厚度变化弯曲度翘曲度硅片厚度及允许偏差TTVbowWarp160土15180土20200土20≤30≤50≤75220士20240土204．3．2直径及允许偏差准方形硅片的直径及其允许偏差应符合图1和表2的要求。圆形硅片直径和允许偏差应符合表3规定。需方有特殊要求时，由供需双方协商解决。2图1太阳能用准正方形硅单晶切割片尺寸 表2太阳能用准方形硅片几何尺寸GB／T26071—2010单位为毫米尺寸标称尺寸ABCD最大最小最大最小最大最小最大最小125×125I125．5124．5150．5149．584．681．222．120．o125×125II125．5124．5156．5155．594．891．816．814．8125x125Ⅲ125．5124．5165．5164．5109．o106．49．67．7156×156156．5155．5200．5199．5126．6123．716．414．5注：A、B、C、D所标尺寸在图1中标出。表3圆形硅片直径及允许偏差单位为毫米类别直径范围直径允许偏差150士o．5156土o．5标称直径165土0．5200士0．54．3．3电性麓参数4．3．3．1硅片的导电类型、掺杂剂、少数载流子寿命和晶体完整性应符合GB／T25076的规定。4．3．3．2太阳能用硅片电阻率范围和径向电阻率变化等电性能参数还应符合表4的规定。表4太阳能用硅片的电学性能参数电阻率范围径向电阻率变化／少数载流子寿命／导电类型晶向(n·cm)％”Sp<100：>0．5～6≤15≥10<100>0．5--20≤20≥604．3．3．3电学性能参数如有特殊要求，由供需双方商定。4．3．4晶向偏离4．3．4．1准方形和圆形硅片晶向偏离度不大于3。。4．3．4．2准方形硅片四个边缘晶向为<100>：I：2。；准方形硅片相邻两边的垂直度为90。士o．3。。4．3．5表面质量硅片表面质量应符合表5的要求。3 GB／T26071—2010表5硅片外观及表面质量项目缺陷限度线痕深度≤20pm裂纹／鸦爪无硅片边缘每片不超过2个，宽最大到o．5mm，深0．5mm崩边／缺口孔洞无色差无明显色差5试验方法5．1硅片的导电类型测量按GB／T1550进行。5．2硅片的电阻率测量按GB／T1552或GB／T6616进行。5．3硅片的径向电阻率变化测量按GB／T11073进行。5．4硅片的晶向及晶向偏离度测量按GB／T1555进行。5．5硅片的少数载流子寿命测量按GB／T26068进行。5．6硅片的直径测量按GB／T14140进行。5．7硅片的外型尺寸检验用游标卡尺或相应精度的量具进行。5．8硅片的表面质量在430lx～650lx光强度的荧光灯或乳白灯下进行。5．9硅片厚度及总厚度变化按GB／T6618的规定进行。5．10硅片翘曲度按GB／T6620的规定进行。6检验规则6．1检查和验收6．1．1产品应由供方技术(质量)监督部门进行检验，保证产品质量符合本标准的规定，并填写产品质量保证书。6．1．2需方可对收到的产品按订货单进行检验，若检验结果与本标准(或订货单)的规定不符时，应在收到产品之日起三个月内向供方提出，由供需双方协商解决。6．2组批每批应由相同尺寸和相同电阻率范围硅片组成。6．3检验项目硅片检验的项目有：导电类型、晶向及晶向偏离、电阻率范围、径向电阻率变化、晶体完整性、少数载流子寿命、氧含量、碳含量、表面质量、外形和几何尺寸，其中晶体完整性、少数载流子寿命和氧、碳含量由供方提供单晶棒的检测数据。6．4抽样及检验结果的判定硅片抽样按GB／T2828．1正常检查一次抽样方案进行，具体的抽样项目、检查水平和合格质量水4 平见表6所示，或由供需双方商定。表6检测项目、检查水平和合格质量水平GB／T26071—2010序号检验项目检查水平合格质量水平(AQL)1电阻率范围Ⅱ1．O2径向电阻率变化ⅡI．03晶向偏离Ⅱ1．04厚度偏差Ⅱ1．05总厚度变化Ⅱ1_06翘曲度Ⅱ1．07直径及直径偏差ⅡI．08导电类型S_20．0I9晶向孓20．0i线痕深度Ⅱ】．O裂纹／鸦爪Ⅱ1．O硅片边缘Ⅱ2．5硅片外观及10崩边／缺口Ⅱ1．O表面质量孔洞Ⅱ1．O表面质量Ⅱ1．5累计2．j7标志、包装、运输、贮存7．1标志、包装7．1．1产品用聚苯烯(泡沫)等具有防震动、防碰撞的包装盒叠片包装，然后将包装盒装入包装箱，并在包装盒、箱内填满具有减震作用的填充物，防止晶片和包装盒松动。特殊的包装要求由供需双方商定。7．1．2包装箱外应标有“小心轻放”、“防腐”、“防潮”字样或标志，并注明：a)需方名称、地点；b)产品名称；c)产品毛重、净重；d)产品件数；e)供方名称。7．2运输、贮存7．2．1产品在运输过程中应轻装轻卸，严禁抛掷，且应采取防震、防潮措施。7．2．2产品应贮存在清洁、干燥环境中。7．3质量保证书每批产品应附有产品质量保证书，注明：5 GB／T2607卜一2010a)供方名称；b)产品名称、规格；c)产品批号；d)产品片数；e)各项检验结果及检验部门印记f)本标准编号；g)出厂日期。8订货单内容订购本标准所列产品的订货单应包括下列内容a)外形和尺寸；b)型号；c)数量；d)本标准编号；e)其他。'