GBT11072-2009锑化铟多晶、单晶及切割片.pdf 7页

'ICS29．045H83a目中华人民共和国国家标准GB／T1072--2009代替GB／T110721989锑化铟多晶、单晶及切割片Indiumantimonidepolycrystal，singlecrystalsandas—cutslices2009-10-30发布2010-06-01实施宰瞀髁鬻瓣警糌瞥星发布中国国家标准化管理委员会厘11’ 前言GB／T11072--2009本标准代替GB／T11072--1989《锑化铟多晶、单晶及切割片》。本标准与GB／T11072--1989相比，主要有如下变化：——将原标准中直径10mm～50mm全部改为10mm～200mm；——在原标准的基础上增加了直径>50mm，厚度不小于1200pm，厚度偏差士40pm；——将原标准中位错密度级别1、2、3中直径≥30mm～50mm全部改为≥30mm～200mm；——在原标准的基础上增加了直径为100mm、150mm、200mm的切割片直径、参考面长度及其偏差；——将原标准中的附录A去掉，增加引用标准GB／T11297；——增加了“订货单(或合同)内容”一章内容。本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会提出。本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会归口。本标准起草单位：峨嵋半导体材料厂。本标准主要起草人：王炎、何兰英、张梅。本标准所代替标准的历次版本发布情况为：——GB／T11072一1989． 1范围锑化铟多晶、单晶及切割片GB／T11072--20091．1本标准规定了锑化铟多晶、单晶及单晶切割片的产品分类、技术要求和试验方法等。1．2本标准适用于区熔法制备的锑化铟多晶及直拉法制备的供制作红外探测器和磁敏元件等用的锑化铟多晶、单晶及切割片。2规范性引用文件下列文件中的条款通过本标准的引用而成为本标准的条款。凡是注日期的引用文件，其随后所有的修改单(不包括勘误的内容)或修订版均不适用于本标准，然而，鼓励根据本标准达成协议的各方研究是否可使用这些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件，其最新版本适用于本标准。GB／T4326非本征半导体晶体霍尔迁移率和霍尔系数测量方法GB／T8759化合物半导体单晶晶向x衍射测量方法GB／T11297锑化铟单晶位错蚀坑的腐蚀显示及测量方法3产品分类3．1导电类型、规格3．1．1多晶多晶的导电类型为n型，按载流子迁移率分为三级。3．1．2单晶锑化铟单晶按导电类型分为n型和p型，以掺杂剂、载流子浓度和迁移率分类，按直径与位错密度分为三级。3．1．3切割片按3．1．2分类与分级，其厚度不小于500pm。3．2牌号3．2．1锑化铟多晶与单晶的牌号表示为：l——用PInSb表示锑化铟多晶，MInSb表示锑化铟单晶2——化学元素符号表示掺杂剂；3——阿拉伯数字表示产品等级。若产品不掺杂或不分级，则相应部分可省略。3．2．2锑化铟单晶切割片牌号表示为： GB／T11072--20091——MInSb表示锑化铟单晶；2——化学元素表示掺杂剂；3——cs表示切割片；4——阿拉伯数字表示产品等级。若产品不掺杂或不分级，则相应部分可省略。注：1级掺碲锑化铟单晶切割片表示为；MInSI卜Te_CS-14技术要求4．1多晶4．1．1多晶不应有裂纹和机械损伤，不允许有夹杂物。4．1．2多晶的电学性能应符合表1的规定。表1多晶的电学性能(77K)载流子浓度／迁移率／导电类型级别Cl-il一。Ecru2／(V·s)]15×10”～1×10“>6×10525x1013～l×1014>5×105～6×10535×10”～1×1014>4×lO5～5×1054．2单晶及切割片4．2．1单晶及切割片不得有裂纹、空洞和孪晶线等缺陷，切割片表面不得有肉眼可见的刀痕，因切割而引起的缺口或崩边应在2miD．以内。4．2．2非掺杂和掺杂锑化铟单晶的电化学性能与位错密度应符合表2的规定，用于磁敏元件的锑化铟单晶及切割片的电学性能应符合表3的规定。表2非掺杂和掺杂锑化铟单晶电学性能(77K)和位错密度导电载流子浓度／迁移率／电阻率／直径／位错密度／牌号掺杂剂cm～类型cm一。[cm2／(V-s)](n·cm)不大于500MInSb非掺杂(1～5)×10“≥4．5x105≥0．02710～2001000500MInSb-TeTe1×10is～7×10”2．4×105～1X10‘0．026～0．000110～2001000500MInSb-SnSn1×10t5～7×10‘82．4×105～1×1040．026～0．000110～2001000 表2(续)GB／T11072--2009导电载流子浓度／迁移率／电阻宰／直径／位错密度／牌号掺杂剂cm-‘类型Eom2／(v·s)](n·cm)mm不大于500MInSbrGepGe1×1015～9×10171X10‘～6×1020．62～0．01210～2001000500MIrLSb-ZnpZ111X101s～9X1017IXl04～6×102O．62～0．01210～2001000500MInS卜CdpCd1X10”～9X101’1×10‘～6×102O．62～O．D】210～B001000表3用于磁敏元件的锑化铟单晶电学性能(300K)载流子浓度／em一，迁移率／位错密度／直径／导电类型掺杂剂晶向不大于[c群／(V·8)3，不小于cm～，不大于非掺杂2．3×10166．5×10‘50010～200(111)非掺杂2．3×10166．5×104100010h200(111>4．2．3于0．5。。4．2．4锑化铟单晶棒两端面的法线方向与所要求的晶向偏离应不大于3。。切割片的晶向偏离应不大切割片厚度及偏差见表4。表4切割片的厚度及偏差直径13／≥10～20>20～30>30～40>40～50>50厚度／Pfn，50060080010001200不小于厚度偏差／士20土25士30士35土404．2．5非掺杂和掺杂单晶及切割片按位错密度和直径分为三级，见表5。表5位错密度等级位错密度No／直径D／级别(个·C1"13。)1<10030--200<100<302100～50030～2003>500～100010～2004．2．6(111)晶面切割片的参考面如图l所示。其直径、参考面长度及其偏差见表6。 GB／T11072--2009图1(111)晶面的切割片参考面表6切割片直径、参考面长度及其偏差单位为毫米副参考长度岛直径直径偏差主参考长度岛主参考长度偏差不大于40土512土3850土512士38100士532士318150士557土337200土562土3425试验方法5．1锑化铟多晶、单晶及切割片的表面质量用目视或用5～10倍放大镜检查。5．2锑化铟多晶、单晶及切割片的电学性能测量按GB／T4326进行。5．3锑化铟单晶晶向测定按GB／T8759进行。5．4锑化铟单晶棒及切割片的直径用精度为0．1mm游标卡尺测量，切割片的厚度用精度为0．01mm的千分尺测量。5．5锑化铟单晶的位错密度观测按GB／T11297进行。6检验规则6．1产品由供方技术监督部门进行检验，保证产品质量符合本标准规定，并填写产品质量证明书。6．2需方可对收到的产品进行检验，若检验结果与本标准规定不符时，在收到产品之日起两个月内向供方提出，由供需双方协商解决。6．3单晶应逐根进行电学性能、位错密度和表面质量等检验。6．4单晶位错密度检测试样从单晶头、尾取样，在(111)铟面进行检测。切割片按总片数的5％抽样，但不应少于3片。6．5如检验结果有一项不合格，则加倍取样进行该不合格项目复验，若仍有一项不合格时，则重新组批验收。7标志、包装、运输和储存7．1每根单晶或多晶装入聚乙烯袋内，再置于适宜的包装盒中，四周用软物塞紧，以防碰伤。切割片用软物包裹，置于特殊的厚泡沫塑料中，再装入硬质塑料盒或有机玻璃盒内。最后将装有产品的包装盒置于木箱内，四周用软物塞紧，钉盖固紧。4 GB／T11072--20097．2包装盒上应注明：供方名称、产品名称、产品编号、产品牌号、产品质量或面积、各项检验结果及生产日期。外包装箱上应注明：产品名称、产品牌号、批号、产品净重、供方名称、出厂日期、需方名称与地址，并有“小心轻放”和“防潮”等字样或标志。7．3每批产品应附有质量证明书，注明：a)供方名称；b)产品名称；c)产品牌号；d)批号；e)净重和件数；D各项分析检验结果及检验部门印记；g)本标准编号；h)出厂日期。7．4产品在运输过程中要防止碰撞、防潮和化学物质腐蚀。7．5产品应存放在干燥和无腐蚀性气氛中。8订货单(或合同)内容本标准所列材料的订货单(或合同)内应包括下列内容：a)产品名称；b)牌号；c)数量；d)本标准编号；e)其他。'