《无机材料物理性能》课后习题答案.docx 7页

'课后习题《材料物理性能》第一章材料的力学性能1-6试分别画出应力松弛和应变蠕变与时间的关系示意图，并算出t=0,t=和t=时的纵坐标表达式。解：Maxwell模型可以较好地模拟应力松弛过程：Voigt模型可以较好地模拟应变蠕变过程：以上两种模型所描述的是最简单的情况，事实上由于材料力学性能的复杂性，我们会用到用多个弹簧和多个黏壶通过串并联组合而成的复杂模型。如采用四元件模型来表示线性高聚物的蠕变过程等。第二章脆性断裂和强度2-1求融熔石英的结合强度，设估计的表面能力为1.75J/m2;Si-O的平衡原子间距为1.6*10-8cm;弹性模量从60到75Gpa=2-2融熔石英玻璃的性能参数为：E=73Gpa；γ=1.56J/m2；理论强度σth=28Gpa7/7 课后习题。如材料中存在最大长度为2μm的内裂，且此内裂垂直于作用力方向，计算由此导致的强度折减系数。2c=2μmc=1*10-6m=强度折减系数=1-0.269/28=0.992-5一钢板受有长向拉应力350MPa，如在材料中有一垂直于拉应力方向的中心穿透缺陷，长8mm(=2c)。此钢材的屈服强度为1400MPa，计算塑性区尺寸r0及其裂缝半长c的比值。讨论用此试件来求KIC值的可能性。==39.23Mpa.m1/2>0.021用此试件来求KIC值的不可能。2-6一陶瓷零件上有一垂直于拉应力的边裂，如边裂长度为：（1）2mm;(2)0.049mm;(3)2um,分别求上述三种情况下的临界应力。设此材料的断裂韧性为1.62MPa.m2。讨论讲结果。解：Y=1.12=1.98=(1)c=2mm,(2)c=0.049mm,(3)（3）c=2um,7/7 课后习题2-4一陶瓷三点弯曲试件，在受拉面上于跨度中间有一竖向切口如图。如果E=380Gpa，μ=0.24，求KIc值，设极限荷载达50Kg。计算此材料的断裂表面能。解c/W=0.1,Pc=50*9.8N,B=10,W=10，S=40代入下式：==62*（0.917-0.145+0.069-0.012+0.0012）=1.96*0.83==1.63Pam1/2J/m2第三章材料的热学性能2-3一热机部件由反应烧结氮化硅制成，其热导率λ=0.184J/(cm.s.℃)，最大厚度=120mm.如果表面热传递系数h=0.05J/(cm2.s.℃),假定形状因子S=1，估算可兹应用的热冲击最大允许温差。解：=226*0.184==447℃2-1计算室温（298K）及高温（1273K）时莫来石瓷的摩尔热容值，并请和按杜龙-伯蒂规律计算的结果比较。（1）当T=298K，Cp=a+bT+cT-2=87.55+14.96*10-3*298-26.68*105/2982=87.55+4.46-30.04=61.97*4.18J/mol.K（2）当T=1273K，Cp=a+bT+cT-2=87.55+14.96*10-3*1293-26.68*105/12732=87.55+19.34-1.65=105.24*4.18J/mol.K=438.9J/mol.K7/7 课后习题据杜隆-珀替定律：(3Al2O3.2SiO4)Cp=21*24。94=523.74J/mol.K2-2康宁1723玻璃（硅酸铝玻璃）具有下列性能参数：λ=0.021J/(cm.s.℃);α=4.6*10-6/℃;σp=7.0Kg/mm2.E=6700Kg/mm2,μ=0.25.求第一及第二热冲击断裂抵抗因子。第一冲击断裂抵抗因子：==170℃第二冲击断裂抵抗因子：=170*0.021=3.57J/(cm.s)第四章材料的光学性能3-1．一入射光以较小的入射角i和折射角r通过一透明明玻璃板,若玻璃对光的衰减可忽略不计,试证明明透过后的光强为(1-m)2解：W=W’+W’’其折射光又从玻璃与空气的另一界面射入空气则3-2光通过一块厚度为1mm的透明Al2O3板后强度降低了15%7/7 课后习题，试计算其吸收和散射系数的总和。解:第五章材料的电导性能4-1实验测出离子型电导体的电导率与温度的相关数据，经数学回归分析得出关系式为：(1)试求在测量温度范围内的电导活化能表达式。(2)若给定T1=500K，σ1=10-9（T2=1000K，σ2=10-6（计算电导活化能的值。解：（1）==W=式中k=（2）B=-3000W=-ln10.(-3)*0.86*10-4*500=5.94*10-4*500=0.594eV4-3本征半导体中，从价带激发至导带的电子和价带产生的空穴参与电导。激发的电子数n可近似表示为：，式中N为状态密度，k7/7 课后习题为波尔兹曼常数，T为绝对温度。试回答以下问题：（1）设N=1023cm-3,k=8.6”*10-5eV.K-1时,Si(Eg=1.1eV),TiO2(Eg=3.0eV)在室温（20℃）和500℃时所激发的电子数（cm-3）各是多少：（2）半导体的电导率σ（Ω-1.cm-1）可表示为，式中n为载流子浓度（cm-3），e为载流子电荷（电荷1.6*10-19C）,μ为迁移率（cm2.V-1.s-1）当电子（e）和空穴（h）同时为载流子时，。假定Si的迁移率μe=1450（cm2.V-1.s-1），μh=500（cm2.V-1.s-1），且不随温度变化。求Si在室温（20℃）和500℃时的电导率解：（1）Si20℃=1023*e-21.83=3.32*1013cm-3500℃=1023*e-8=2.55*1019cm-3TiO220℃=1.4*10-3cm-3500℃=1.6*1013cm-3(2)20℃=3.32*1013*1.6*10-19(1450+500)=1.03*10-2（Ω-1.cm-1）500℃=2.55*1019*1.6*10-19(1450+500)=7956（Ω-1.cm-1）4-2.根据缺陷化学原理推导（1）ZnO电导率与氧分压的关系。（4）讨论添加Al2O3对NiO电导率的影响。7/7 课后习题解：（1）间隙离子型：或（4）添加Al2O3对NiO：添加Al2O3对NiO后形成阳离子空位多，提高了电导率。7/7'