半导体物理学 第七版 (刘恩科 著) 电子工业出版社 课后答案 28页

'课后答案网您最真诚的朋友www.hackshp.cn网团队竭诚为学生服务，免费提供各门课后答案，不用积分，甚至不用注册，旨在为广大学生提供自主学习的平台！课后答案网：www.hackshp.cn视频教程网：www.efanjy.comPPT课件网：www.ppthouse.com课后答案网www.hackshp.cn 第一章习题1．设晶格常数为a的一维晶格，导带极小值附近能量Ec(k)和价带极大值附近能量EV(k)分别为：22222222hkh(k−k1)hk13hkEc=+,EV(k)=−3mm6mm0000πm为电子惯性质量，k=,a=.0314nm。试求：01a（1）禁带宽度;（2）导带底电子有效质量;khdaw.com（3）价带顶电子有效质量;（4）价带顶电子跃迁到导带底时准动量的变化解：（1）导带：222ℏk2ℏ(k−k1)由+=03mm003得：k=k142222dEc2ℏ2ℏ8ℏ又因为：=+=>02dk3mm3m课后答案网0003所以：在k=k处，Ec取极小值4价带：2dEV6ℏk=−=0得www.hackshp.cnk=0dkm022dE6ℏV又因为=−<,0所以k=0处，E取极大值2Vdkm0223ℏk1因此：E=E(k)−E(0)==.064eVgC1V412m02*ℏ3(2)m==mnC20dE8Cdk23k=k14khdaw.com若侵犯了您的版权利益，敬请来信通知我们！℡www.khdaw.com 2*ℏm0(3)m==−nV2dE6V2dkk=01(4)准动量的定义：p=ℏk3−25所以：∆p=(ℏk)−(ℏk)=ℏk−0=.795×10N/s3k=01k=k144272.晶格常数为0.25nm的一维晶格，当外加10V/m，10V/m的电场时，试分别计算电子自能带底运动到能带顶所需的时间。khdaw.com∆kℏ∆k解：根据：f=qE=h得∆t=∆t−qEπℏ(0−)a−8∆t==.827×10s1−192−6.1×10×10πℏ(0−)a−13∆t==.827×10s2−197−6.1×10×10补充题1分别计算Si（100），（课后答案网110），（111）面每平方厘米内的原子个数，即原子面密度（提示：先画出各晶面内原子的位置和分布图）Si在（100），（110）和（111）面上的原子分布如图1所示：www.hackshp.cn（a）(100)晶面（b）(110)晶面khdaw.com若侵犯了您的版权利益，敬请来信通知我们！℡www.khdaw.com （c）(111)晶面11+4×khdaw.com422142（100）：===678.×10atom/cm22−82aa(543.×10)112+4×+2×424142（110）：==9.59×10atom/cm22a×a2a114×+2×+2424142（111）：==7.83×10atom/cm233aa×2a2补充题2课后答案网2ℏ71一维晶体的电子能带可写为E（k)=(−coska+cos2ka)，2ma88式中a为晶格常数，试求（1）布里渊区边界；www.hackshp.cn（2）能带宽度；（3）电子在波矢k状态时的速度；*（4）能带底部电子的有效质量m；n*（5）能带顶部空穴的有效质量mpdE(k)nπ解：（1）由=0得k=dka（n=0，±1，±2…）π进一步分析k=(2n+1)，E（k）有极大值，akhdaw.com若侵犯了您的版权利益，敬请来信通知我们！℡www.khdaw.com 22ℏE（k)=MAX2maπk=2n时，E（k）有极小值aπ所以布里渊区边界为k=(2n+1)a22ℏ(2)能带宽度为E（k)−E(k)=MAXMIN2ma1dEℏ1(3）电子在波矢k状态的速度v==(sinka−sin2ka)ℏdkma4（khdaw.com4）电子的有效质量2*ℏmm==n21dE(coska−cos2ka)22dk2nπ*能带底部k=所以m=2mna(2n+1)π(5)能带顶部k=，a**且m=−m，pn*2m所以能带顶部空穴的有效质量m=课后答案网p3www.hackshp.cnkhdaw.com若侵犯了您的版权利益，敬请来信通知我们！℡www.khdaw.com 第二章习题1.实际半导体与理想半导体间的主要区别是什么？答：（1）理想半导体：假设晶格原子严格按周期性排列并静止在格点位置上，实际半导体中原子不是静止的，而是在其平衡位置附近振动。（2）理想半导体是纯净不含杂质的，实际半导体含有若干杂质。（3）理想半导体的晶格结构是完整的，实际半导体中存在点缺陷，线缺陷和面缺陷等。2.以As掺入Ge中为例，说明什么是施主杂质、施主杂质电离过程和n型半导体。khdaw.comAs有5个价电子，其中的四个价电子与周围的四个Ge原子形成共价键，还剩余一个电子，同时As原子所在处也多余一个正电荷，称为正离子中心，所以，一个As原子取代一个Ge原子，其效果是形成一个正电中心和一个多余的电子.多余的电子束缚在正电中心，但这种束缚很弱,很小的能量就可使电子摆脱束缚，成为在晶格中导电的自由电子，而As原子形成一个不能移动的正电中心。这个过程叫做施主杂质的电离过程。能够施放电子而在导带中产生电子并形成正电中心，称为施主杂质或N型杂质，掺有施主杂质的半导体叫N型半导体。3.以Ga掺入Ge中为例，说明什么是受主杂质、受主杂质电离过程和p型半导体。Ga有3个价电子，它与周围的四个Ge原子形成共价键，还缺少一个电子，于是在课后答案网Ge晶体的共价键中产生了一个空穴，而Ga原子接受一个电子后所在处形成一个负离子中心，所以，一个Ga原子取代一个Ge原子，其效果是形成一个负电中心和一个空穴，空穴束缚在Ga原子附近，但这种束缚很弱，很小的能量就可使空穴摆www.hackshp.cn脱束缚，成为在晶格中自由运动的导电空穴，而Ga原子形成一个不能移动的负电中心。这个过程叫做受主杂质的电离过程，能够接受电子而在价带中产生空穴，并形成负电中心的杂质，称为受主杂质，掺有受主型杂质的半导体叫P型半导体。4.以Si在GaAs中的行为为例，说明IV族杂质在III-V族化合物中可能出现的双性行为。Si取代GaAs中的Ga原子则起施主作用；Si取代GaAs中的As原子则起受主作用。导带中电子浓度随硅杂质浓度的增加而增加，当硅杂质浓度增加到一定程度时趋于饱和。硅先取代Ga原子起施主作用，随着硅浓度的增加，硅取代As原子起受主作用。khdaw.com若侵犯了您的版权利益，敬请来信通知我们！℡www.khdaw.com 5.举例说明杂质补偿作用。当半导体中同时存在施主和受主杂质时，若（1）ND>>NA因为受主能级低于施主能级，所以施主杂质的电子首先跃迁到NA个受主能级上，还有ND-NA个电子在施主能级上，杂质全部电离时，跃迁到导带中的导电电子的浓度为n=ND-NA。即则有效受主浓度为NAeff≈ND-NA（2）NA>>ND施主能级上的全部电子跃迁到受主能级上，受主能级上还有NA-ND个空穴，它们可接受价带上的Nkhdaw.comA-ND个电子，在价带中形成的空穴浓度p=NA-ND.即有效受主浓度为NAeff≈NA-ND（3）NA≈ND时，不能向导带和价带提供电子和空穴，称为杂质的高度补偿6.说明类氢模型的优点和不足。7.锑化铟的禁带宽度Eg=0.18eV，相对介电常数εr=17，电子的有效质量*mn=0.015m0,m0为电子的惯性质量，求①施主杂质的电离能，②施主的弱束缚电子基态轨道半径。课后答案网解：根据类氢原子模型：*4*mnqmnE0136.−4∆E===.00015×=1.7×10eVD22222(4πεε)ℏmε170r0r2www.hackshp.cnhε0r==.0053nm02πqm02hεεmε0r0rr==r=60nm2**0πqmmnn8.磷化镓的禁带宽度Eg=2.26eV，相对介电常数εr=11.1，空穴的有效质量*mp=0.86m0,m0为电子的惯性质量，求①受主杂质电离能；②受主束缚的空穴的基态轨道半径。khdaw.com若侵犯了您的版权利益，敬请来信通知我们！℡www.khdaw.com 解：根据类氢原子模型：*4*mqmE136.PP0∆E===.0086×=.00096eVA22222(4πεε)ℏmε111.0r0r2hε0r==.0053nm02πqm02hεεmε0r0rr==r=.668nm2**0πqmmPPkhdaw.com课后答案网www.hackshp.cnkhdaw.com若侵犯了您的版权利益，敬请来信通知我们！℡www.khdaw.com 第三章习题2100h1.计算能量在E=Ec到E=EC+*2之间单位体积中的量子态数。8mLn*31解：g(E)=4π(2mn)2(E−E)2V2ChdZ=g(E)dEdZ单位体积内的量子态数Z=0V100h2100h2E+E+c∗2c∗28mnl8mnl*3112mZ=g(E)dE=4π(n)2(E−E)2dE0∫∫2CVhkhdaw.comECEC2100h*2m3232E+4n)2()c8∗L2=π(E−Em2Cnh3Ec1000π=33L2.试证明实际硅、锗中导带底附近状态密度公式为式（3-6）。.2证明：si、G半导体的E（IC）~K关系为e课后答案网h2k2+k22xykzE（k）=E+(+)CC2mmlt∗∗"m12"m12"m1令k=(a)k,k=(a)k,k=(a)2kxxyyzzmmmtwww.hackshp.cntl2"h"2"2"2则：E(k)=E+(k+k+k")cc∗xyz2ma"在k系中,等能面仍为球形等能面12""⎛⎜mt•mt+ml⎞⎟在k系中的态密度g(k)=V⎜∗3⎟m⎝a⎠"1∗k=2m(E−E)aChkhdaw.com若侵犯了您的版权利益，敬请来信通知我们！℡www.khdaw.com 在E~E+dE空间的状态数等于k空间所包含的状态数。""""2即d=g(k)•∇Vk=g(k)•4πkdkz312⎡•+3⎤"dz2(mtmtml)1∴g(E)==4π•⎢⎥(E−E)2V2cdE⎢h⎥⎣⎦对于si导带底在100个方向，有六个对称的旋转椭球，锗在（111）方向有四个，∗"2m31∴g(E)=sg(E)=4π(n)2(E−E)2V2ch21m∗=s3[m2m3]khdaw.comntl3.当E-EF为1.5k0T，4k0T,10k0T时，分别用费米分布函数和玻耳兹曼分布函数计算电子占据各该能级的概率。费米能级费米函数玻尔兹曼分布函数1E−Ef(E)=−E−EFF课后答案网E−EFf(E)=ek0T1+ekT01.5k0T0.1820.2234k0Twww.hackshp.cn0.0180.018310k0T−5−5.454×104.54×10ooo4.画出-78C、室温（27C）、500C三个温度下的费米分布函数曲线，并进行比较。khdaw.com若侵犯了您的版权利益，敬请来信通知我们！℡www.khdaw.com **5.利用表3-2中的mn，mp数值，计算硅、锗、砷化镓在室温下的NC,NV以及本征载流子的浓度。∗⎧2πkoTm3N=2(n)2⎪C2h⎪∗⎪⎪2πkoTmp35N=2()2⎨v2⎪hE⎪1−gn=(NN)2e2koT⎪icv⎪⎩∗∗⎧G:m=.056m;m=o.37m;E=.067even0p0g⎪⎪∗∗khdaw.com⎨si:mn=.108m0;mp=o.59m0;Eg=.112ev⎪∗∗⎪⎩GaAs:mn=.0068m0;mp=o.47m0;Eg=.1428evooo6.计算硅在-78C，27C，300C时的本征费米能级，假定它在禁带中线合理吗？[∗∗]Si的本征费米能级，Si:m=.108m,m=.059mn0p0∗EC−EV3kTmpE=E=+lnFi∗24mn3kT.059m0当T=195K时，kT=.0016eV,ln=−.00072eV1课后答案网14.108m03kT.059当T=300K时，kT=.0026eV,ln=−.0012eV224.1083kT.059当T=573K时，kT=.00497eV,ln=−.0022eV2www.hackshp.cn34.10819-318-37.①在室温下，锗的有效态密度Nc=1.05×10cm，NV=5.7×10cm，试求锗**的载流子有效质量mnmp。计算77K时的NC和NV。已知300K时，Eg=0.67eV。77k时Eg=0.76eV。求这两个温度时锗的本征载流子浓度。②77K时，锗的电子17-3浓度为10cm，假定受主浓度为零，而Ec-ED=0.01eV，求锗中施主浓度ED为多少？khdaw.com若侵犯了您的版权利益，敬请来信通知我们！℡www.khdaw.com ∗2πkoTm3（1.7）根据N=2(n)2c2h∗2πkoTm3pN=2()2得v2h22∗h⎡Nc⎤3−31m==.056m=1.5×10kgn⎢⎥02πkoT⎣2⎦1223∗h⎡Nv⎤−31m=⎥=.037m=4.3×10kgp⎢02πkoT⎣4⎦（2）77K时的N、NCV""N（77K）TC3N（300K）TC"77319773183∴N=N•（）=.105×10×（）=.137×10/cmCCkhdaw.com300300"77318773173N=N•（）=7.5×10×（）=.741×10/cmVV300300Eg1−(3)n=(NN)2e2koTicv0.671−完温：n=(.105×1019×7.5×1018)2e2k0×300=0.2×1013/cm3i0.761−77K时，n=(.137×1018×.735×1017)2e2k0×77=.188×10−7/cm3i+NDNDNDn=n===0pED−EFED−Ec+EC−EF∆EDno−−−•1+2expkoT1+2ekoT1+2ekoTNC17∆EDno17.00110173∴ND=n0(1+2e课后答案网•)=10(1+2e•18)=.117×10/cmkoTN.0067.137×10C8.利用题7所给的Nc和NV数值及Eg=0.76eV，求温度为300K和500K时，含www.hackshp.cn15-39-3施主浓度ND=5×10cm，受主浓度NA=2×10cm,的锗中电子及空穴浓度为多少？Eg1−.8300K时：n=(NN)2e2koT=0.2×1013/cm3icVEg−1"""22koT153500K时：n=(NN)e=9.6×10/cmiCV根据电中性条件：⎧n−p−ND+NA=022⎨2→n−n(ND−NA)−ni=0np=n⎩i1N−NN−N2DA⎡DA22⎤∴n=+()+n⎢i⎥2⎣2⎦1N−NN−N2p=AD+⎡(AD)2+n2⎤khdaw.com⎢i⎥2⎣2⎦153⎧⎪n≈5×10/cmT=300K时：⎨103⎪⎩p=8×10/cm若侵犯了您的版权利益，敬请来信通知我们！℡www.khdaw.com153⎧⎪n=.984×10/cmt=500K时：⎨153⎪⎩p=.484×10/cm 16318-319-39.计算施主杂质浓度分别为10cm，,10cm，10cm的硅在室温下的费米能级，并假定杂质是全部电离，再用算出的的费米能级核对一下，上述假定是否在每一种情况下都成立。计算时，取施主能级在导带底下的面的0.05eV。.9解假设杂质全部由强电离区的EF193ND⎧⎪NC=8.2×10/cmEF=Ec+koTln,T=300K时,⎨N103khdaw.comC⎪⎩ni=5.1×10/cmND或E=E+koTln,FiNi1616310N=10/cm;E=E+.0026ln=E−.021eVDFc19c8.2×101818310N=10/cm;E=E+.0026ln=E−.0087eVDFc19c8.2×101919310N=10/cm;E=E+.0026ln=E−.0.027eVDFc19c8.2×10(2)∵E−E=.005eV施主杂质全部电离标准为90%,10%占据施主CDnD1=是否≤10%ND1+1eED课后答案网−EF2koT+nD1或=≥90%ND1ED−EF1+e2www.hackshp.cnkoTkhdaw.com若侵犯了您的版权利益，敬请来信通知我们！℡www.khdaw.com 16nD11N=10:===.042%成立DNED−EC+0.210.16D111+e0.0261+e0.0262218nD1N=10:==30%不成立D0.037ND10.0261+e219nD1N=10:==80%〉10%不成立D−0.023ND1khdaw.com1+e0.0262"（2）求出硅中施主在室温下全部电离的上限2N∆EDDD=()e(未电离施主占总电离杂质数的百分比）−NkoTC0.052N.0051.0NC−0.026173D10%=e,N=e=5.2×10/cmDN.00262C16173N=10小于5.2×10cm全部电离D1618173N=10,10〉5.2×10cm没有全部电离D""（2）也可比较E与E，E−E》koT全电离D课后答案网FDF163N=10/cm;E−E=−.005+.021=.016》.0026成立，全电离DDF183N=10/cm;E−E=.0037~.026E在E之下，但没有全电离DDFFD193N=10/cm;E−E=−.0023〈.0026E在E之上，大部分没有电离DDwww.hackshp.cnFFD10.以施主杂质电离90%作为强电离的标准，求掺砷的n型锗在300K时，以杂质电离为主的饱和区掺杂质的浓度范围。19310.解A中的电力能∆E=.00127eV,N=.105×10/cmsDC室温300K以下，A杂志全部电离的掺杂上限s2N∆EDDD=e−NkoTC2ND+.0012710%=eN.0026C0.0127190.01271.0NC−1.0×.105×10−0.026khdaw.com173∴N=e0.026=e=.322×10/cmD上限22A掺杂浓度超过N上限无用sD133G饿本征浓度n=4.2×10/cmei若侵犯了您的版权利益，敬请来信通知我们！℡www.khdaw.com14173∴A的掺杂浓度范围5n~1V上限，4.2×10~.322×10/cmsiD 14-311.若锗中施主杂质电离能∆ED=0.01eV，施主杂质浓度分别为ND=10cmj及17-310cm。计算①99%电离；②90%电离；③50%电离时温度各为多少？15-318-312.若硅中施主杂质电离能∆ED=0.04eV，施主杂质浓度分别为10cm，10cm。计算①99%电离；②90%电离；③50%电离时温度各为多少？15-313.有一块掺磷的n型硅，ND=10cm,分别计算温度为①77K；②300K；③500K；khdaw.com④800K时导带中电子浓度（本征载流子浓度数值查图3-7）10315313（.2）300K时，n=10/cm<>ni0D16-312.在掺杂浓度N=10cm，少数载流子寿命为10us的n型硅中，如果由于外界作用，少数载流子全部被清除，那么在这种情况下，电子-空穴对的产生率是多大？（Et=Ei）。13.室温下，p型半导体中的电子寿命为τ=350us，电子的迁移率-2un=3600cm/(V•s)。试求电子的扩散长度。15-3khdaw.com14.设空穴浓度是线性分布，在3us内浓度差为10cm,up=400cm2/(V•s)。试计算空穴扩散电流密度。15-315.在电阻率为1Ω•cm的p型硅半导体区域中，掺金浓度Nt=10cm,由边界稳10-3定注入的电子浓度（∆n）0=10cm,试求边界处电子扩散电流。16.一块电阻率为3Ω•cm的n型硅样品，空穴寿命τp=5us,在其平面形的表面处13-3有稳定的空穴注入，过剩浓度（∆p）=10cm。计算从这个表面扩散进入半导体内12-3部的空穴电流密度，以及在离表面多远处过剩空穴浓度等于10cm？17.光照1Ω•cm的n型硅样品，均匀产生非平衡载流子，电子-空穴对产生率为17-3-110cm•s。设样品的寿命为10us，表面符合速度为100cm/s。试计算：课后答案网①单位时间单位表面积在表面复合的空穴数。②单位时间单位表面积在离表面三个扩散长度中体积内复合的空穴数。16-3o18.一块掺杂施主浓度为2×10cm的硅片，在920C下掺金到饱和浓度，然后www.hackshp.cn10-2经氧化等处理，最后此硅片的表面复合中心10cm。①计算体寿命，扩散长度和表面复合速度。17-3-1②如果用光照射硅片并被样品均匀吸收，电子-空穴对的产生率是10cm•s，试求表面的空穴浓度以及流向表面的空穴流密度是多少？khdaw.com若侵犯了您的版权利益，敬请来信通知我们！℡www.khdaw.com 第六章习题15-317-31.若ND=5×10cm,NA=10cm,求室温下Ge突变pn结的VD。2.试分析小注入时，电子（空穴）在五个区域中的运动情况（分析漂移与扩散的方向及相对应的大小）。khdaw.com中扩势扩中-+性散垒散性取区区区区3.在方向情况下做上题。4.证明方向饱和电流公式（6-35）可改写为课后答案网2bσikT⎛11⎞J=0⎜+⎟s2(1+b)q⎜⎝σLnσpLp⎟⎠式中b=un/up,σn和σp分别为n型和p型半导体电导率，σi为本征半导体率。5.一硅突变pn结，n区的www.hackshp.cnρn=5Ω•cm，τp=1us；p区的ρp=0.1Ω•cm，τn=5us,计算室温下空穴电流与电子电流之比、饱和电流密度，以及在正向电压0.3V时流过pn结的电流密度。6.条件与上题相同，计算下列电压下的势垒区宽度和单位面积上的电容：①-10V；②0V；③0.3V。7.计算当温度从300K增加到400K时，硅pn结反向电流增加的倍数。23-48.设硅的性缓变结的杂质浓度梯度为5×10cm,VD为0.7V，求反向电压为8V时的势垒区宽度。16-320-39.已知突变结两边杂质浓度为NA=10cm,ND=10cm,①求势垒高度和势垒宽khdaw.com若侵犯了您的版权利益，敬请来信通知我们！℡www.khdaw.com 度；②画出E(x)、V（x)图。10.已知电荷分布ρ（x）为：①ρ（x）=0；②ρ（x）=c;③ρ（x）=qax(x在0∼d之间)，分别求电场强度E(x)及电位V（x)，并作图。+11.分别计算硅np结在正向电压为0.6V、反向电压为40V时的势垒区宽度。17-3已知NA=5×10cm,VD=0.8V。+12.分别计算硅np结在平衡和反向电压45V时的最大电场强度。已知153ND=5×10cm,Vd=0.7V。16-3513.高阻区杂质浓度为ND=10cm,Ec=4×10V/cm,求击穿电压。khdaw.com14.设隧道长度∆x=40nm，求硅、锗、砷化镓在室温下电子的隧道概率。课后答案网www.hackshp.cnkhdaw.com若侵犯了您的版权利益，敬请来信通知我们！℡www.khdaw.com 第七章习题1.求Al-Cu、Au-Cu、W-Al、Cu-Ag、Al-Au、Mo-W、Au-Pt的接触器电势差，并标出电势的正负。2.两种金属A和B通过金属C相接触，若温度相等，证明其两端a、b的电势差同A、B直接接触的电势差一样。如果A是Au,B是Ag,C是Cu或Al，则Vab是多少伏？khdaw.com17-33.施主浓度ND=10cm的n型硅，室温下的功函数是是多少？若不考虑表面态的影响，他分别同Al,Au,Mo接触时，形成阻挡层还是反阻挡？锗的电子亲合能取4.05eV。17-34.受主浓度NA=10cm的p型锗，室温下的功函数是多少？若不考虑表面态的影响，他分别同Al,Au,Pt接触时，形成阻挡层还是反阻挡？锗的电子亲合能取4.13eV。5.某功函数为2.5eV的金属表面受到光的照射。①这个面吸收红色光或紫色光时，能放出光电子吗？课后答案网②用波长为185nm的紫外线照射时，从表面放出的光电子的能量是多少eV。6.电阻率为10Ω•cm的n型锗和金属接触形成的肖特基势垒高度为0.3eV。求加上5V反向电压时的空间电荷厚度。7.在n型硅的（111）面上与金属接触形成肖特基势垒二极管。若已知势垒高www.hackshp.cn度qφns=0.73eV，计算室温下的反向饱和电流JST.16-38.有一块施主硬度ND=10cm的n型锗材料，在它的（111）面上与金属接触制成肖特基势垒二极管。已知VD=0.4V,求加上0.3V电压时的正向电流密度。khdaw.com若侵犯了您的版权利益，敬请来信通知我们！℡www.khdaw.com 第十二章习题1.如图12-1所示，设样品长为8mm,宽为2mm,厚为0.2mm的Ge,在样品长度两段加1.0V的电压，得到10mA沿x方向的电流，在沿样品垂直方向（+z）加0.1T的磁场，则在样品长度两段测的电压Vkhdaw.comAC为-10mA,设材料主要是一种流自导电，试求：①材料的导电类型；②霍耳系数；③载流自浓度；④载流子迁移率。2.求本征Ge和Si室温时的霍耳系数。3.室温时测得Ge和Si的霍耳系数为零，求电子和空穴浓度。4.为判断Ge的导电类型，测得它的霍耳系数为负，而塞贝克系数为正，该材料课后答案网的导电类型是什么？说明理由。5.对长1cm、宽2nm、厚0.2mm的n型Ge,如在长度两段加1.5V电压是4得到15mA的电流；再沿样品垂直方向加以0.2T的磁场，测的霍耳电压为-30mV,求：①霍耳系数；www.hackshp.cn②载流子浓度；③零磁场时的电阻率。④0.2T时的电阻率（分别计算长生学波和电离杂质散射时的情况，设等能面为球面）。226.InSb的电子迁移率为7.8m/（V•s），空穴迁移率为780cm/（V•s），本征载16-3流子浓度为1.6×10cm,求300K时：①本征材料的霍耳系数；②室温时测得RH=0，求载流子浓度；khdaw.com若侵犯了您的版权利益，敬请来信通知我们！℡www.khdaw.com ③本征电阻率。7.对厚为0.08cm的n型GaAs，沿长度x方向同以5mA的电流，沿样品垂直方向加0.5T的磁场，得到0.4mV的霍耳电压，求：①霍耳系数；②载流子浓度；-3③如材料电阻率为1.5×10Ω•cm，求载流子迁移率。8.测得霍耳系数时，由于霍耳电极不可能正好做在一个等势面上，因此，在沿x方向通电流时，即使z方向上不加磁场，在霍耳电极两端也能测出由于不等势而引起的横向电压Vkhdaw.com0，加磁场后，这个电压叠加在霍耳电压上，因此它要影响测量的准确性，必须加以消除。试证明：在+Bz时测一次横向电压，将磁场改变方向后，即-Bz时再测一次横向电压，便能消除V0的影响。9.试证明由于热磁效应不等势电势V0的影响，测霍耳系数时，分别改变次磁场和电流的方向，共测四次横向电压，便能消除爱廷豪森效应的其他副效应。课后答案网www.hackshp.cnkhdaw.com若侵犯了您的版权利益，敬请来信通知我们！℡www.khdaw.com'