长沙理工大学电子科技创新基地培训计划书.doc 49页

'长沙理工大学电子科技创新基地培训计划书目录前言.............................................................................................................................3目录.............................................................................................................................5一、长沙理工大学校历.............................................................................................6二、组员资料.............................................................................................................7三、本学期创新计划.................................................................................................9计划（一）............................................................................................................9计划（二）..........................................................................................................10计划（三）..........................................................................................................11计划（四）..........................................................................................................12计划（五）..........................................................................................................13计划（六）..........................................................................................................14四、相关资料《常用电子元器件》........................................................................15第一章部分电气图形符号....................................................................................15第二章常用元器命名及参数................................................................................17第一节电阻器............................................................................................17第二节电容器.............................................................................................21第三节电感器.............................................................................................23第四节半导体二极管....................................................................................24第五节半导体三极管....................................................................................27第六节场效应管(MOS管)..............................................................................31第七节晶振................................................................................................32第八节基本逻辑门电路.................................................................................32五、理工科学生就业方向探讨..................................................................................37六、大学新生必读的几篇好文章..............................................................................38七、会议记录..............................................................................................................45八、网上如何搜索有用学习资料..............................................................................55九、常去网站..............................................................................................................59492012年下半年实践科技创新基地电子组培训计划 一、长沙理工大学校历二、组员资料（每组最多4人）492012年下半年实践科技创新基地电子组培训计划 组长组员专业班级学号电话备注电话：电话：电话：电话：电话：电话：电话：电子组负责人三、本学期创新活动计划492012年下半年实践科技创新基地电子组培训计划 计划（一）、认识常用电子工具1、每个组长统计好每组需要购买的工具，比如电烙铁，焊锡丝，松香，吸焊枪等等......2、每组成员准备一个鞋盒子，用来存放工具。3、务必在第八周之前完成这项工作。计划（二）、认识常用电子元器件及工作原理492012年下半年实践科技创新基地电子组培训计划 1、各组长按排各组任务，比如小电源的制作，双声道功放的制作，等等一些常用电子电路制作，也可以做智能小车，寻迹小车2、本计划从第八周开始实施，我们会从第八周开始，开展每周小组工作总结大会，时间待等通知。3、各小组手头最好备有电子制作相关书籍，比如《常用电子制作100例》等等相关书籍，图书馆有借，也可网上查找相关资料，最好是学会网上查找资料。计划（三）、C语言与51单片机入门学习492012年下半年实践科技创新基地电子组培训计划 1、各小组成员应准备相关书籍，比如《C语言程序设计》、谭浩强《C程序设计（第四版）》，只要一本就足以。2、本计划将在第十三周开始实施，请各小组成员做好准备。3、51单片机的学习从“郭天祥10天学会单片机”视频开始，每个小组成员只需拷贝视屏，在学校机房或网吧观看学习视频并做笔记。计划（四）、单片机电子作品制作492012年下半年实践科技创新基地电子组培训计划 1、流水灯控制2、智能小车，寻迹小车制作。3、各组长自行安排。计划（五）、Proter99与AD电路板画图软件学习492012年下半年实践科技创新基地电子组培训计划 1、本计划将在第十八周后实施，具体内容请各小组负责人安排。计划（六）、参加第四届校园创新电子大赛492012年下半年实践科技创新基地电子组培训计划 1，本次校园电子设置了一、二、三等奖，还有优胜奖，奖品多多等你来拿。2、各小组自行计划本次大赛，选择合适作品参加本次比赛。四、相关资料《常用电子元器件》492012年下半年实践科技创新基地电子组培训计划 常用电子元器件参考资料第一章　部分电气图形符号一．电阻器、电容器、电感器和变压器图形符号名称与说明图形符号名称与说明电阻器一般符号电感器、线圈、绕组或扼流图。注：符号中半圆数不得少于3个可变电阻器或可调电阻器带磁芯、铁芯的电感器滑动触点电位器带磁芯连续可调的电感器极性电容双绕组变压器注：可增加绕组数目可变电容器或可调电容器绕组间有屏蔽的双绕组变压器注：可增加绕组数目双联同调可变电容器。注：可增加同调联数在一个绕组上有抽头的变压器492012年下半年实践科技创新基地电子组培训计划 微调电容器二．半导体管图形符号名称与说明图形符号名称与说明二极管的符号(1)(2)JFET结型场效应管(1)N沟道(2)P沟道发光二极管光电二极管PNP型晶体三极管稳压二极管NPN型晶体三极管变容二极管全波桥式整流器三．其它电气图形符号图形符号名称与说明图形符号名称与说明具有两个电极的压电晶体注：电极数目可增加或接机壳或底板熔断器导线的连接指示灯及信号灯导线的不连接扬声器动合(常开)触点开关492012年下半年实践科技创新基地电子组培训计划 蜂鸣器动断(常闭)触点开关接大地手动开关第二章　常用电子元器件型号命名法及主要技术参数第一节、电阻器1.1电阻器的含义:在电路中对电流有阻碍作用并且造成能量消耗的部分叫电阻.1.2电阻器的英文缩写：R（Resistor）及排阻RN1.3电阻器在电路符号：R或WWW1.4电阻器的常见单位:千欧姆（KΩ）,兆欧姆（MΩ）1.5电阻器的单位换算:1兆欧=103千欧=106欧1.6电阻器的特性：电阻为线性原件，即电阻两端电压与流过电阻的电流成正比，通过这段导体的电流强度与这段导体的电阻成反比。即欧姆定律：I=U/R。1.7电阻的作用为分流、限流、分压、偏置、滤波（与电容器组合使用）和阻抗匹配等。1.8电阻器在电路中用“R”加数字表示，如：R15表示编号为15的电阻器。1.9电阻器的在电路中的参数标注方法有3种，即直标法、色标法和数标法。a、直标法是将电阻器的标称值用数字和文字符号直接标在电阻体上,其允许偏差则用百分数表示,未标偏差值的即为±20%.b、数码标示法主要用于贴片等小体积的电路，在三为数码中,从左至右第一,二位数表示有效数字,第三位表示10的倍幂或者用R表示(R表示0.)如：472表示47×102Ω（即4.7KΩ）；104则表示100KΩ、;R22表示0.22Ω、122=1200Ω=1.2KΩ、1402=14000Ω=14KΩ、R22=0.22Ω、50C=324*100=32.4KΩ、17R8=17.8Ω、000=0Ω、0=0Ω.c、色环标注法使用最多，普通的色环电阻器用4环表示,精密电阻器用5环表示,紧靠电阻体一端头的色环为第一环,露着电阻体本色较多的另一端头为末环.现举例如下：如果色环电阻器用四环表示,前面两位数字是有效数字,第三位是10的倍幂,第四环是色环电阻器的误差范围(见图一)四色环电阻器（普通电阻)标称值第一位有效数字标称值第二位有效数字标称值有效数字后0的个数(10的倍幂)允许误差颜色第一位有效值第二位有效值倍率允许偏差黑00492012年下半年实践科技创新基地电子组培训计划 棕11±1%红22±2%橙33黄44绿55±0.5%蓝66±0.25%紫77±0.1%灰88白99―20%~+50%金5%银10%无色20%图1-1两位有效数字阻值的色环表示法如果色环电阻器用五环表示,前面三位数字是有效数字,第四位是10的倍幂.   第五环是色环电阻器的误差范围.(见图二)五色环电阻器（精密电阻）标称值第一位有效数字标称值第二位有效数字标称值第三位有效数字标称值有效数字后0的个数(10的倍幂)允许误差颜色第一位有效值第二位有效值第三位有效值倍率允许偏差黑000棕1111%红2222%橙333黄444绿5550.5%蓝6660.25紫7770.1%灰888白999-20%～+50%金±5%银±10%图1-2三位有效数字阻值的色环表示法492012年下半年实践科技创新基地电子组培训计划 d、SMT精密电阻的表示法，通常也是用3位标示。一般是2位数字和1位字母表示，两个数字是有效数字，字母表示10的倍幂,但是要根据实际情况到精密电阻查询表里出查找.下面是精密电阻的查询表:代码阻值代码阻值代码阻值代码阻值代码阻值coderesiscanecoderesiscancecoderesiscancecoderesiscancecoderesiscance1100211624126161422816812102221654226762432826983105231694327463442837154107241744428064453847325110251784528765464857506113261824629466475867687115271874730167487877878118281914830968499888069121290.19649316695118982510124302005032470523908451112731320551332715369186612130322105234072549928871313333215533487356293909141373422154357745769493115140352265536575590949811614336232563747660495953171473723757383/388776199697618150382435839278634969761915439249594027964920153402556041280665symbolABCDEFGHXYZmultipliers10010110210310410510610710-110-210-31.10SMT电阻的尺寸表示：用长和宽表示（如0201，0603，0805，1206等，具体如02表示长为0.02英寸宽为0.01英寸）。1.11一般情况下电阻在电路中有两种接法:串联接法和并联接法电阻的计算：R1R1R2R2串连：并联：R=R1+R2R=1/R1+1/R2492012年下半年实践科技创新基地电子组培训计划 1.12多个电阻的串并联的计算方法：串联：R总串=R1+R2+R3+……Rn.并联：1/R总并=1/R+2/R+3/R……1/Rn1.13电阻器好坏的检测:a、用指针万用表判定电阻的好坏:首先选择测量档位,再将倍率档旋钮置于适当的档位,一般100欧姆以下电阻器可选RX1档,100欧姆-1K欧姆的电阻器可选RX10档,1K欧姆-10K欧姆电阻器可选RX100档,10K-100K欧姆的电阻器可选RX1K档,100K欧姆以上的电阻器可选RX10K档.b、测量档位选择确定后,对万用表电阻档为进行校0,校0的方法是:将万用表两表笔金属棒短接,观察指针有无到0的位置,如果不在0位置,调整调零旋钮表针指向电阻刻度的0位置.c、接着将万用表的两表笔分别和电阻器的两端相接,表针应指在相应的阻值刻度上,如果表针不动和指示不稳定或指示值与电阻器上的标示值相差很大,则说明该电阻器已损坏.d、用数字万用表判定电阻的好坏;首先将万用表的档位旋钮调到欧姆档的适当档位,一般200欧姆以下电阻器可选200档,200-2K欧姆电阻器可选2K档,2K-20K欧姆可选20K档,20K-200K欧姆的电阻器可选200K档,200K-200M欧姆的电阻器选择2M欧姆档.2M-20M欧姆的电阻器选择20M档,20M欧姆以上的电阻器选择200M档.第二节电容器2.1电容器的含义:衡量导体储存电荷能力的物理量.2.2电容器的英文缩写:C(capacitor)2.3电容器在电路中的表示符号:C或CN(排容)2.4电容器常见的单位:毫法（mF）、微法（uF）、纳法（nF）、皮法（pF）2.5电容器的单位换算:1法拉=103毫法=106微法=109纳法=1012皮法;1pf=10-3nf=10-6uf=10-9mf=10-12f;2.6电容的作用:隔直流,旁路,耦合,滤波,补偿,充放电,储能等2.7电容器的特性:电容器容量的大小就是表示能贮存电能的大小，电容对交流信号的阻碍作用称为容抗，它与交流信号的频率和电容量有关。。电容的特性主要是隔直流通交流,通低频阻高频2.8电容器在电路中一般用“C”加数字表示.如C25表示编号为25的电容.2.9电容器的识别方法与电阻的识别方法基本相同，分直标法、色标法和数标法3种。a;直标法是将电容的标称值用数字和单位在电容的本体上表示出来：如：220MF表示220UF；.01UF表示0.01UF；R56UF表示0.56UF;6n8表示6800PF.b;不标单位的数码表示法.其中用一位到四位数表示有效数字,一般为PF,而电解电容其容量则为UF.如:3表示3PF;2200表示2200PF;0.056表示0.056UF;c;数字表示法:一般用三为数字表示容量的大小,前两位表示有效数字,第三位表示10的倍幂.如102表示10*102=1000PF;224表示22*104=0.2UFd: 492012年下半年实践科技创新基地电子组培训计划 用色环或色点表示电容器的主要参数。电容器的色标法与电阻相同。电容器偏差标志符号：+100%-0--H、+100%-10%--R、+50%-10%--T、+30%-10%--Q、+50%-20%--S、+80%-20%--Z。2.10电容的分类:根据极性可分为有极性电容和无极性电容.我们常见到的电解电容就是有极性的,是有正负极之分.2.11电容器的主要性能指标是:电容器的容量(即储存电荷的容量),耐压值(指在额定温度范围内电容能长时间可靠工作的最大直流电压或最大交流电压的有效值)耐温值(表示电容所能承受的最高工作温度。).2.12电容器的品牌有:主板电容主要分为台系和日系两种,日系品牌有：NICHICON，RUBICON，RUBYCON（红宝石）、KZG、SANYO（三洋）、PANASONIC（松下）、NIPPON、FUJITSU（富士通）等；台系品牌有：TAICON、G-LUXCON、TEAPO、CAPXON、OST、GSC、RLS等。电容器的计算：C1c2~~～c1c2串连：并联：1/C=1/C1+1/C2C=C1+C22.13多个电容的串联和并联计算公式:C串:1/C=1/C1+1/C2+1/C3+.....+1/CNC并:C=C1+C2+C3+……+CN2.14电容器的好坏测量a;脱离线路时检测　采用万用表Ｒ×１ｋ挡，在检测前，先将电解电容的两根引脚相碰，以便放掉电容内残余的电荷.当表笔刚接通时，表针向右偏转一个角度，然后表针缓慢地向左回转，最后表针停下。表针停下来所指示的阻值为该电容的漏电电阻，此阻值愈大愈好，最好应接近无穷大处。如果漏电电阻只有几十千欧，说明这一电解电容漏电严重。表针向右摆动的角度越大（表针还应该向左回摆），说明这一电解电容的电容量也越大，反之说明容量越小。B.线路上直接检测主要是检测电容器是否已开路或已击穿这两种明显故障，而对漏电故障由于受外电路的影响一般是测不准的。用万用表Ｒ×１挡，电路断开后，先放掉残存在电容器内的电荷。测量时若表针向右偏转，说明电解电容内部断路。如果表针向右偏转后所指示的阻值很小（接近短路），说明电容器严重漏电或已击穿。如果表针向右偏后无回转，但所指示的阻值不很小，说明电容器开路的可能很大，应脱开电路后进一步检测。c．线路上通电状态时检测,若怀疑电解电容只在通电状态下才存在击穿故障，可以给电路通电，然后用万用表直流挡测量该电容器两端的直流电压，如果电压很低或为０Ｖ，则是该电容器已击穿。　对于电解电容的正、负极标志不清楚的，必须先判别出它的正、负极。对换万用表笔测两次，以漏电大（电阻值小）的一次为准，黑表笔所接一脚为负极，另一脚为正极。第三节电感器492012年下半年实践科技创新基地电子组培训计划 3.1电感器的英文缩写：L(Inductance)电路符号：3.2电感器的国际标准单位是:H(亨利),mH(毫亨),uH（微亨）,nH（纳亨）；3.3电感器的单位换算是:1H=103mH＝106uH＝109nH；1nH＝10-3uH=10-6mH=10-9H3.4电感器的特性：通直流隔交流；通低频阻高频。3.5电感器的作用：滤波，陷波，振荡，储存磁能等。3.6电感器的分类:空芯电感和磁芯电感.磁芯电感又可称为铁芯电感和铜芯电感等.主机板中常见的是铜芯绕线电感.3.7电感在电路中常用“L”加数字表示，如：L6表示编号为6的电感。电感线圈是将绝缘的导线在绝缘的骨架上绕一定的圈数制成。直流可通过线圈，直流电阻就是导线本身的电阻，压降很小；当交流信号通过线圈时，线圈两端将会产生自感电动势，自感电动势的方向与外加电压的方向相反，阻碍交流的通过，所以电感的特性是通直流阻交流，频率越高，线圈阻抗越大。电感在电路中可与电容组成振荡电路。电感一般有直标法和色标法，色标法与电阻类似。如：棕、黑、金、金表示1uH（误差5%）的电感。3.8电感的好坏测量:电感的质量检测包括外观和阻值测量.首先检测电感的外表有无完好,磁性有无缺损,裂缝,金属部分有无腐蚀氧化,标志有无完整清晰,接线有无断裂和拆伤等.用万用表对电感作初步检测,测线圈的直流电阻,并与原已知的正常电阻值进行比较.如果检测值比正常值显著增大,或指针不动,可能是电感器本体断路.若比正常值小许多,可判断电感器本体严重短路,线圈的局部短路需用专用仪器进行检测.第四节半导体二极管4.1英文缩写：D(Diode)电路符号是4.2半导体二极管的分类分类：a按材质分：硅二极管和锗二极管；b按用途分：整流二极管，检波二极管，稳压二极管，发光二极管，光电二极管，变容二极管。稳压二极管发光二极管光电二极管变容二极管4.3半导体二极管在电路中常用“D”加数字表示，如：D5表示编号为5的半导体二极管。4.4半导体二极管的导通电压是:a;492012年下半年实践科技创新基地电子组培训计划 硅二极管在两极加上电压,并且电压大于0.6V时才能导通,导通后电压保持在0.6-0.8V之间.B;锗二极管在两极加上电压,并且电压大于0.2V时才能导通,导通后电压保持在0.2-0.3V之间.4.5半导体二极管主要特性是单向导电性，也就是在正向电压的作用下，导通电阻很小；而在反向电压作用下导通电阻极大或无穷大。4.6半导体二极管可分为整流、检波、发光、光电、变容等作用。4.7半导体二极管的识别方法：a;目视法判断半导体二极管的极性:一般在实物的电路图中可以通过眼睛直接看出半导体二极管的正负极.在实物中如果看到一端有颜色标示的是负极,另外一端是正极.b;用万用表(指针表)判断半导体二极管的极性:通常选用万用表的欧姆档(R﹡100或R﹡1K),然后分别用万用表的两表笔分别出接到二极管的两个极上出,当二极管导通,测的阻值较小(一般几十欧姆至几千欧姆之间),这时黑表笔接的是二极管的正极,红表笔接的是二极管的负极.当测的阻值很大(一般为几百至几千欧姆),这时黑表笔接的是二极管的负极,红表笔接的是二极管的正极.c;测试注意事项：用数字式万用表去测二极管时，红表笔接二极管的正极，黑表笔接二极管的负极，此时测得的阻值才是二极管的正向导通阻值，这与指针式万用表的表笔接法刚好相反。4.8变容二极管是根据普通二极管内部“PN结”的结电容能随外加反向电压的变化而变化这一原理专门设计出来的一种特殊二极管。变容二极管在无绳电话机中主要用在手机或座机的高频调制电路上，实现低频信号调制到高频信号上，并发射出去。在工作状态，变容二极管调制电压一般加到负极上，使变容二极管的内部结电容容量随调制电压的变化而变化。变容二极管发生故障，主要表现为漏电或性能变差：（1）发生漏电现象时，高频调制电路将不工作或调制性能变差。（2）变容性能变差时，高频调制电路的工作不稳定，使调制后的高频信号发送到对方被对方接收后产生失真。出现上述情况之一时，就应该更换同型号的变容二极管。4.9稳压二极管的基本知识a、稳压二极管的稳压原理：稳压二极管的特点就是击穿后，其两端的电压基本保持不变。这样，当把稳压管接入电路以后，若由于电源电压发生波动，或其它原因造成电路中各点电压变动时，负载两端的电压将基本保持不变。492012年下半年实践科技创新基地电子组培训计划 b、故障特点：稳压二极管的故障主要表现在开路、短路和稳压值不稳定。在这3种故障中，前一种故障表现出电源电压升高；后2种故障表现为电源电压变低到零伏或输出不稳定。c、常用稳压二极管的型号及稳压值如下表：型号1N47281N47291N47301N47321N47331N47341N47351N47441N47501N47511N4761稳压值3.3V3.6V3.9V4.7V5.1V5.6V6.2V15V27V30V75V4.10半导体二极管的伏安特性：二极管的基本特性是单向导电性（注：硅管的导通电压为0.6－0.8V；锗管的导通电压为0.2－0.3V），而工程分析时通常采用的是0.7V.4.11半导体二极管的伏安特性曲线：（通过二极管的电流Ｉ与其两端电压Ｕ的关系曲线为二极管的伏安特性曲线。）见图三.图三硅和锗管的伏安特性曲线4.12半导体二极管的好坏判别:用万用表(指针表)R﹡100或R﹡1K档测量二极管的正,反向电阻要求在1K左右,反向电阻应在100K以上.总之,正向电阻越小,越好.反向电阻越大越好.若正向电阻无穷大,说明二极管内部断路,若反向电阻为零,表明二极管以击穿,内部断开或击穿的二极管均不能使用。第五节半导体三极管5.1半导体三极管英文缩写：Q/T5.2半导体三极管在电路中常用“Q”加数字表示，如：Q17表示编号为17的三极管。5.3半导体三极管特点：半导体三极管（简称晶体管）是内部含有2个PN结，并且具有放大能力的特殊器件。它分NPN型和PNP型两种类型，这两种类型的三极管从工作特性上可互相弥补，所谓OTL电路中的对管就是由PNP型和NPN型配对使用。按材料来分可分硅和锗管，我国目前生产的硅管多为NPN型，锗管多为PNP型。492012年下半年实践科技创新基地电子组培训计划 E(发射极)C(集电极)E(发射极)C(集电极)B(基极)B(基极)NPN型三极管PNP型三极管5.4半导体三极管放大的条件:要实现放大作用，必须给三极管加合适的电压，即管子发射结必须具备正向偏压，而集电极必须反向偏压,这也是三极管的放大必须具备的外部条件。5.5半导体三极管的主要参数a;电流放大系数：对于三极管的电流分配规律Ie=Ib+Ic,由于基极电流Ib的变化，使集电极电流Ic发生更大的变化，即基极电流Ib的微小变化控制了集电极电流较大，这就是三极管的电流放大原理。即β=ΔIc/ΔIb。b;极间反向电流，集电极与基极的反向饱和电流。c;极限参数：反向击穿电压，集电极最大允许电流、集电极最大允许功率损耗。5.6半导体三极管具有三种工作状态，放大、饱和、截止，在模拟电路中一般使用放大作用。饱和和截止状态一般合用在数字电路中。a;半导体三极管的三种基本的放大电路。 共射极放大电路共集电极放大电路共基极放大电路电路形式直流通道492012年下半年实践科技创新基地电子组培训计划 静态工作点交流通道微变等效电路riRb//rberoRCRC用途多级放大电路的中间级输入、输出级或缓冲级高频电路或恒流源电路b;三极管三种放大电路的区别及判断可以从放大电路中通过交流信号的传输路径来判断，没有交流信号通过的极，就叫此极为公共极。注：交流信号从基极输入，集电极输出，那发射极就叫公共极。交流信号从基极输入，发射极输出，那集电极就叫公共极。交流信号从发射极输入，集电极输出，那基极就叫公共极。5.7用万用表判断半导体三极管的极性和类型(用指针式万用表).a;先选量程：R﹡100或R﹡1K档位.b;判别半导体三极管基极：用万用表黑表笔固定三极管的某一个电极，红表笔分别接半导体三极管另外两各电极，观察指针偏转，若两次的测量阻值都大或是都小，则改脚所接就是基极（两次阻值都小的为NPN型管，两次阻值都大的为PNP型管），若两次测量阻值一大一小，则用黑笔重新固定半导体三极管一个引脚极继续测量，直到找到基极。c;.判别半导体三极管的c极和e极：492012年下半年实践科技创新基地电子组培训计划 确定基极后，对于NPN管，用万用表两表笔接三极管另外两极，交替测量两次，若两次测量的结果不相等，则其中测得阻值较小得一次黑笔接的是e极，红笔接得是c极（若是PNP型管则黑红表笔所接得电极相反）。d;判别半导体三极管的类型.如果已知某个半导体三极管的基极,可以用红表笔接基极,黑表笔分别测量其另外两个电极引脚,如果测得的电阻值很大,则该三极管是NPN型半导体三极管,如果测量的电阻值都很小,则该三极管是PNP型半导体三极管.5.8现在常见的三极管大部分是塑封的，如何准确判断三极管的三只引脚哪个是b、c、e？三极管的b极很容易测出来，但怎么断定哪个是c哪个是e？a;这里推荐三种方法：第一种方法：对于有测三极管hFE插孔的指针表，先测出b极后，将三极管随意插到插孔中去（当然b极是可以插准确的），测一下hFE值，b;然后再将管子倒过来再测一遍，测得hFE值比较大的一次，各管脚插入的位置是正确的。第二种方法：对无hFE测量插孔的表，或管子太大不方便插入插孔的,可以用这种方法：对NPN管，先测出b极（管子是NPN还是PNP以及其b脚都很容易测出，是吧？），将表置于R×1kΩ档，将红表笔接假设的e极（注意拿红表笔的手不要碰到表笔尖或管脚），黑表笔接假设的c极，同时用手指捏住表笔尖及这个管脚，将管子拿起来，用你的舌尖舔一下b极，看表头指针应有一定的偏转，如果你各表笔接得正确，指针偏转会大些，如果接得不对，指针偏转会小些，差别是很明显的。由此就可判定管子的c、e极。对PNP管，要将黑表笔接假设的e极（手不要碰到笔尖或管脚），红表笔接假设的c极，同时用手指捏住表笔尖及这个管脚，然后用舌尖舔一下b极，如果各表笔接得正确，表头指针会偏转得比较大。当然测量时表笔要交换一下测两次，比较读数后才能最后判定。这个方法适用于所有外形的三极管，方便实用。根据表针的偏转幅度，还可以估计出管子的放大能力，当然这是凭经验的。c;第三种方法：先判定管子的NPN或PNP类型及其b极后，将表置于R×10kΩ档，对NPN管，黑表笔接e极，红表笔接c极时，表针可能会有一定偏转，对PNP管，黑表笔接c极，红表笔接e极时，表针可能会有一定的偏转，反过来都不会有偏转。由此也可以判定三极管的c、e极。不过对于高耐压的管子，这个方法就不适用了。对于常见的进口型号的大功率塑封管，其c极基本都是在中间（我还没见过b在中间的）。中、小功率管有的b极可能在中间。比如常用的9014三极管及其系列的其它型号三极管、2SC1815、2N5401、2N5551等三极管，其b极有的在就中间。当然它们也有c极在中间的。所以在维修更换三极管时，尤其是这些小功率三极管，不可拿来就按原样直接安上，一定要先测一下.5.9半导体三极管的分类：a;按频率分：高频管和低频管b;按功率分：小功率管，中功率管和的功率管c;按机构分：PNP管和NPN管d;按材质分：硅管和锗管e;按功能分：开关管和放大5.10半导体三极管特性：三极管具有放大功能（三极管是电流控制型器件－通过基极电流或是发射极电流去控制集电极电流；又由于其多子和少子都可导电称为双极型元件）492012年下半年实践科技创新基地电子组培训计划 1.1.1NPN型三极管共发射极的特性曲线。IC(mA)IB(mA)80μA4饱UCE=0V1V和放大区60μA3区0.4ΔICΔIB40μA20.220μA100.40.60.8UBE(V)IB=0μA截止区输入特性曲线02468UCE(V)输出特性曲线三极管各区的工作条件：1．放大区：发射结正偏，集电结反偏：2．饱和区：发射结正偏，集电结正偏；3．截止区：发射结反偏，集电结反偏。5.11半导体三极管的好坏检测a;先选量程：R﹡100或R﹡1K档位b;测量PNP型半导体三极管的发射极和集电极的正向电阻值:红表笔接基极,黑表笔接发射极,所测得阻值为发射极正向电阻值,若将黑表笔接集电极(红表笔不动),所测得阻值便是集电极的正向电阻值,正向电阻值愈小愈好.c;测量PNP型半导体三极管的发射极和集电极的反向电阻值:将黑表笔接基极,红表笔分别接发射极与集电极,所测得阻值分别为发射极和集电极的反向电阻,反向电阻愈小愈好.d;测量NPN型半导体三极管的发射极和集电极的正向电阻值的方法和测量PNP型半导体三极管的方法相反.第六节场效应管(MOS管)6.1场效应管英文缩写：FET(Field-effecttransistor)6.2场效应管分类：结型场效应管和绝缘栅型场效应管6.3场效应管电路符号：DDGG结型场效应管SSN沟道P沟道6.4场效应管的三个引脚分别表示为:G(栅极),D(漏极),S(源极)492012年下半年实践科技创新基地电子组培训计划 DDDDGGGG绝缘栅型场效应管SSS增强型S耗尽型N沟道P沟道N沟道P沟道注：场效应管属于电压控制型元件，又利用多子导电故称单极型元件，且具有输入电阻高，噪声小，功耗低，无二次击穿现象等优点。6.5场效应晶体管的优点：具有较高输入电阻高、输入电流低于零，几乎不要向信号源吸取电流，在在基极注入电流的大小，直接影响集电极电流的大小，利用输出电流控制输出电源的半导体。6.6场效应管与晶体管的比较（1）场效应管是电压控制元件，而晶体管是电流控制元件。在只允许从信号源取较少电流的情况下，应选用场效应管；而在信号电压较低，又允许从信号源取较多电流的条件下，应选用晶体管。（2）场效应管是利用多数载流子导电，所以称之为单极型器件，而晶体管是即有多数载流子，也利用少数载流子导电。被称之为双极型器件。（3）有些场效应管的源极和漏极可以互换使用，栅压也可正可负，灵活性比晶体管好。（4）场效应管能在很小电流和很低电压的条件下工作，而且它的制造工艺可以很方便地把很多场效应管集成在一块硅片上，因此场效应管6.7场效应管好坏与极性判别:将万用表的量程选择在RX1K档,用黑表笔接D极,红表笔接S极,用手同时触及一下G,D极,场效应管应呈瞬时导通状态,即表针摆向阻值较小的位置,再用手触及一下G,S极,场效应管应无反应,即表针回零位置不动.此时应可判断出场效应管为好管.将万用表的量程选择在RX1K档,分别测量场效应管三个管脚之间的电阻阻值,若某脚与其他两脚之间的电阻值均为无穷大时,并且再交换表笔后仍为无穷大时,则此脚为G极,其它两脚为S极和D极.然后再用万用表测量S极和D极之间的电阻值一次,交换表笔后再测量一次,其中阻值较小的一次,黑表笔接的是S极,红表笔接的是D极.第七节晶振10.1晶振在线路中的符号是＂X”,＂Y”10.2晶振的名词解释:能产生具有一定幅度及频率波形的振荡器.10.3晶振在线路图中的表示符号:10.4晶振的测量方法:测量电阻方法:用万用表RX10K档测量石英晶体振荡器的正,反向电阻值.正常时应为无穷大.若测得石英晶体振荡器有一定的阻值或为零,则说明该石英晶体振荡器已漏电或击穿损坏.492012年下半年实践科技创新基地电子组培训计划 动态测量方法:用是波器在电路工作时测量它的实际振荡频是否符合该晶体的额定振荡频率,如果是,说明该晶振是正常的,如果该晶体的额定振荡频率偏低,偏高或根本不起振,表明该晶振已漏电或击穿损坏第八节基本逻辑门电路1.1门电路的概念：实现基本和常用逻辑运算的电子电路，叫逻辑门电路。实现与运算的叫与门，实现或运算的叫或门，实现非运算的叫非门，也叫做反相器，等等（用逻辑1表示高电平；用逻辑0表示低电平）11.2与门：逻辑表达式　　　F＝A.B即只有当输入端A和B均为1时,输出端Y才为1,不然Y为0.与门的常用芯片型号有:74LS08,74LS09等.11.3或门：逻辑表达式　　　F＝A+B即当输入端A和B有一个为1时,输出端Y即为1,所以输入端A和B均为0时,Y才会为O.492012年下半年实践科技创新基地电子组培训计划 或门的常用芯片型号有:74LS32等.11.4．非门逻辑表达式F=A即输出端总是与输入端相反.非门的常用芯片型号有:74LS04,74LS05,74LS06,74LS14等.11.5．与非门逻辑表达式F=AB即只有当所有输入端A和B均为1时,输出端Y才为0,不然Y为1.与非门的常用芯片型号有:74LS00,74LS03,74S31,74LS132等.11.6．或非门：逻辑表达式F=A+B即只要输入端A和B中有一个为1时,输出端Y即为0.所以输入端A和B均为0时,Y才会为1.或非门常见的芯片型号有:74LS02等.11.7．同或门:逻辑表达式F=AB+AB=1AFB11.8.异或门：逻辑表达式F=AB+AB=1A492012年下半年实践科技创新基地电子组培训计划 FB11.9.与或非门：逻辑表逻辑表达式F=AB+CD≥1AB＆CFD11.10.RS触发器：电路结构把两个与非门G1、G2的输入、输出端交叉连接，即可构成基本RS触发器，其逻辑电路如图7.2.1.(a)所示。它有两个输入端R、S和两个输出端Q、Q。工作原理:基本RS触发器的逻辑方程为：根据上述两个式子得到它的四种输入与输出的关系:1.当R=1、S=0时，则Q=0,Q=1,触发器置1。2.当R=0、S=1时，则Q=1,Q=0,触发器置0。如上所述，当触发器的两个输入端加入不同逻辑电平时，它的两个输出端Q和Q有两种互补的稳定状态。一般规定触发器Q端的状态作为触发器的状态。通常称触发器处于某种状态，实际是指它的Q端的状态。Q=1、Q=0时，称触发器处于1态，反之触发器处于0态。S=0,R=1使触发器置1，或称置位。因置位的决定条件是S=0,故称S492012年下半年实践科技创新基地电子组培训计划 端为置1端。R=0,S=1时，使触发器置0，或称复位。同理，称R端为置0端或复位端。若触发器原来为1态，欲使之变为0态，必须令R端的电平由1变0，S端的电平由0变1。这里所加的输入信号（低电平）称为触发信号，由它们导致的转换过程称为翻转。由于这里的触发信号是电平,因此这种触发器称为电平控制触发器。从功能方面看，它只能在S和R的作用下置0和置1，所以又称为置0置1触发器，或称为置位复位触发器。其逻辑符号如图7.2.1(b)所示。由于置0或置1都是触发信号低电平有效，因此，S端和R端都画有小圆圈。3.当R=S=1时，触发器状态保持不变。触发器保持状态时，输入端都加非有效电平（高电平），需要触发翻转时，要求在某一输入端加一负脉冲，例如在S端加负脉冲使触发器置1，该脉冲信号回到高电平后，触发器仍维持1状态不变，相当于把S端某一时刻的电平信号存储起来，这体现了触发器具有记忆功能。4.当R=S=0时，触发器状态不确定在此条件下，两个与非门的输出端Q和Q全为1，在两个输入信号都同时撤去（回到1）后，由于两个与非门的延迟时间无法确定，触发器的状态不能确定是1还是0,因此称这种情况为不定状态，这种情况应当避免。从另外一个角度来说，正因为R端和S端完成置0、置1都是低电平有效，所以二者不能同时为0。此外,还可以用或非门的输入、输出端交叉连接构成置0、置1触发器,其逻辑图和逻辑符号分别如图7.2.2（a）和7.2.2（b）所示。这种触发器的触发信号是高电平有效，因此在逻辑符号的S端和R端没有小圆圈。2.特征方程基本RS触发器的特性：1.基本RS触发器具有置位、复位和保持（记忆）的功能；2.基本RS触发器的触发信号是低电平有效，属于电平触发方式；492012年下半年实践科技创新基地电子组培训计划 3.基本RS触发器存在约束条件（R+S=1），由于两个与非门的延迟时间无法确定；当R=S=0时，将导致下一状态的不确定。4.当输入信号发生变化时，输出即刻就会发生相应的变化，即抗干扰性能较差。492012年下半年实践科技创新基地电子组培训计划 五、理工科学生就业方向探讨一、当前理工科就业形势分析由于近几年世界经济发展的跌宕起伏，给我们大学生的就业增加了一些不确定性。而就国内而言，发展的不平衡也给应届毕业生的就业带来了影响。一方面,东部发达地区竞争激烈,就业数量上供大于求;另一方面,西部发展地区的企业找不到合适人才,仍然求贤若渴。二、理工科就业方向的探讨1.本专业相关性较大制造行业；2.本专业相关性小的制造行业；2.与本专业相关的服务行业。3.与本专业无关的服务行业4.其它与自身兴趣相关的工作2.建议1)学习能力及专业知识的培养现在大部分同学存在对所学专业缺乏兴趣的状况，造成学习动力不足，专业知识匮乏，但企业对应聘者的专业知识及学习能力有一定的要求，就电子类专业而言，如果能熟练掌握模拟电路、数字电路、单片机等方面的知识，对我们进入电子类企业很有帮助。同时，学习成绩在一定程度上能证明应聘者的上进心和责任心，这些素质恰恰是企业所看重的，因此，大学生应当重视自身学习能力的提高，而不该忽视大学课程对提高我们就业竞争力的重要性。2)组织协调与人际交往能力的培养对比具有卓越能力的个人来说，当代企业需要的更是具有团队合作能力的人。因此，在校大学生应当培养自己的人际交往能力以增加自身未来就业竞争力。大学生可以通过参与学生工作、社团活动、社会实践活动来提高自己这些方面的能力。3)学科竞赛及各类证书的获得4)面试技巧的相关培训根据对06届毕业生的访谈得出的结论，面试技巧对于面试成功至关重要。因为企业对应聘者的第一印象是从面试中获得，而这就决定了面试的成功与否，所以在大学生涯中应当积累面试经验，掌握面试技巧。大学生可以阅读与面试技巧相关的书籍，抓住每一次的面试机会，锻炼自己。492012年下半年实践科技创新基地电子组培训计划 六、大学新生必读的几篇好文章大学阶段如何学习？我想这篇文章能给你点启发，虽然有点长，但看完他你会受益匪浅的。这是一个写给入门者的，要解决一个问题：初学者应重点掌握什么电子知识，大学阶段如何学习？先说点貌似题外的东西——3个谬论。谬论一：高中老师常对我们说，大家现在好好学，考上了大学就轻松了，爱怎么玩怎么玩。这真是狗屁。别的专业我不好说，电气、电子、电力、通信、自动化等电类专业，想要轻松那是不可能地（当然你是天才就另说），专业课上讲的东西对决大多数人来说那是云里雾里，从来都是一知半解，需要你课下大量时间精力地消化。有些东西甚至需要你若干年后在工作中遇着时才回过味：“哦，原来以前学的那东西是干这使的。”你要能想得起，并知道怎么回头去补，就算是上学时专业课学得很扎实了。谬论二：填志愿时经常有人对我们说：专业不重要，学校最重要，进了个好学校想学什么再学。这亦是狗屁。进了学校，本专业的课程就可能会压得你喘不过气来，还有多少人有时间和毅力选修第二专业？而所学专业几乎就是决定了你今后一生的职业生涯。而学校，说实在话本科阶段我觉得从老师那学到的东西各校间差别不是很大。课上讲的大同小异，课下也不会有什么好老师给你单独指导和点拨，若能遇着，那是你的幸运。越牛的学校的越牛的老师就越忙，不要指望他们会在教学上花多少心思，更不要指望他们对你另眼相看。反倒是一些普通院校的小老师们可能跟学生走得更近，辅导更多些，虽然他们可能水平一般，但对于你大学的学习来说还是足够的。综上所述，我觉得对于一个电子爱好者来说，成为一名普通重点大学的电子系学生比成为北大的哲学系学生更重要。当然看帖的应该大多数都是学电的，那恭喜你，这个专业不错的，虽不是什么“朝阳产业”，但绝对是个“常青行业”。谬论三：上了大学，可能又有不少人对你说，在大学专业不重要，关键的是学好计算机和英语，这样就不愁找不到好工作了。这也是屁话。你要明确一点：你将来不是纯靠英语吃饭的，也不是做编程、搞软件开发或动画创作的。我是想说：若果你性格偏内向沉稳、肯钻研、爱好电子行业，将来想从事电子设计和研发工作，那你一定要学好专业课。当然英语也很重要，但以后工作中用得多的是你的专业英语，即能读懂英语技术文档，而不是跟别人比你口语多正宗多流利。至于计算机，那就是一工具，不要花太多时间去学photoshop、3dmax、Flash、网页制作等流行软件，这些在你今后的工作中用不着，也会牵扯你大量时间精力。好钢用在刀刃上，多进进实验室多搭搭电路吧。当然，电类学生对电脑也有特殊要求，那就是用熟Protel、Multisim，学好汇编语言、C语言、选学PLD相关软件。任务也是很重的。以上说了3个谬论，下面言归正传吧。那么进了大学，读了电类专业，这4年你该学些什么呢？1.大一大二（打基础）492012年下半年实践科技创新基地电子组培训计划 首先要了解：电类专业可分为强电和弱电两个方向，具体为电力工程及其自动化（电力系统、工厂供变电等）专业属强电，电气工程及其自动化以强电为主弱电为辅，电子、通信、自动化专业以弱电为主。其他更进一步的细分要进入研究生阶段才划分。但无论强电还是弱电，基础都是一样的。首先高数是要学好的，以后的信号处理、电磁场、电力系统、DSP等不同方向的专业课都用得着。492012年下半年实践科技创新基地电子组培训计划 专业基础课最重要的就是电路分析、模拟电路、数字电路。这3门课一定要学好。这3门课一般都是大一下学期到大三上学期开设，对大多数对电子知识还了解不多的同学来说，通常是学得一知半解，迷迷糊糊。所以，最好是在开课之前或是开课的同时读一两本通俗浅显的综合介绍电子知识的书籍，对书中的知识你不需要都懂，能有个大致感觉就行。对这这种入门读物的选择很重要，难了看不懂可能兴趣就此丧失或备受打击，反而事与愿违。在此推荐一本《电子设计丛零开始》（杨欣编著，清华大学出版社出版），该书比较系统全面地介绍了电子设计与制作的基础知识，模电、数电、单片机、Multisim电路仿真软件等都有涉及，一册在手基本知识就差不多了，关键是浅显易懂，有一定趣味性。另外科学出版社引进出版的一套小开本（32开）电子系列图书也不错，是日本人写的，科学出版社翻译出版，插图较多，也较浅显，不过这一系列分册较多，内容分得较细。除了看书，还要足够重视动手实践。电路、模电、数电这些课程进行的同时都会同时开设一些课程试验，珍惜这个动手机会好好弄一弄，而不要把它当作一个任务应付了事。跟抄作业一样，拷贝别人的试验结果在高校中也是蔚然成风，特别是几个人一个小组的实验，那就是个别勤奋好学的在那折腾，其他人毫不用心地等着出结果。我只想说，自己动手努力得来的成果才是甜美的，那种成就感会让你充实和满足。游手好闲的，到临近毕业找工作或在单位试用时，心中那种巨大的惶恐会让你悔不当初。这种教训太多了，多少次我们都是蹉跎了岁月才回过头来追悔莫及。除了实验课好好准备好好做之外，许多学校都设有开放性实验室，供学生平时课余自觉来弄弄。珍惜这种资源和条件吧，工作后不会再有谁给你提供这种免费的午餐了。当然有些学校没有这么好的条件，或缺少器件，那同学们就在电脑上模拟一把试验平台吧，就是学好用好Multisim软件。Multisim是一种电路仿真软件，笔者上学时叫做EWB，后来随着版本更新，先后更名为Multisim2001、Multisim7、Multisim8。这个软件可模拟搭建各种模拟电路和数字电路，并可观测、分析电路仿真结果。大伙可以把模电、数电中学习的电路在这软件里面模拟一下，增加感性认识，实验前后也可把试验电路在软件里模拟，看跟实际试验结果有多大差别。可以说，只要你是学电的，这个小软件就是你上学时必须掌握的，对你的学习助益很大。另一个必须掌握的软件那就是protel了。上学时，从小学期的综合设计实验到毕业设计，最后都会要求你用Protel绘出设计的电路原理图和PCB版；工作后，Protel也是你必须掌握的基本技能，部分同学毕业后一两年内的工作，可能就是单纯地用这软件画板子。Protel的版本也走过了Protel98、Protel99、Protel99SE、ProtelDXP、Protel2004的发展道路。Protel99SE、ProtelDXP、Protel2004这三个版本现在用得最多，目前许多学校教学或公司内工程师使用的都还是Protel99SE，当然若作为新的自学者直接从Protel2004学起似乎好一些。综上所叙，作为最基本的EDA（电子设计自动化）软件，Multisim和Protel是所有电类学生在上学时必须掌握的。其他的如Pspice、Orcad、SYstemview、MATLAB、QuartusII等等，需根据不同的专业方向选学，或是在进入研究生阶段或工作后在重点学习使用。那Multisim和Protel好学么？入门应该问题不大，让师兄师姐指导指导，或是找一两本入门书看一看就OK了。这里推荐一本《电路设计与仿真——基于Multisim8与Protel2004》（也是杨欣编著，清华社出版），作为这两款软件的入门学习挺不错的，关键是一本书包含了两款软件学习，对穷学生来说比较划算，若是花钱买两本书分别去学这两个软件，就不值了，因为Multisim的入门不是很难。另用Protel画PCB电路板学问挺大的，有必要多看一些技术文档或是买一本高级应用类的图书。2.大三大四（学习专业课，尝试应用）进入大三，就涉及到专业课的学习了，本文只讨论以应用为主的专业课，其他如《电力系统分析》、《电机学》、《自控原理》、《信号与处理》、《高电压》、《电磁场》等等以理论和计算为主的专业课，咱就不多提了。当然这些课对你今后向研究型人才发展很重要，也都很让人头疼，要有建议也只能说是努力学、好好学，懂多少是到少（不过别指望全都懂），以后工作或接着深造用得着时再回过头来接着补接着学，那时有工作经验或接触多了有感性认识，可能学着就容易些了。那以应用为主的专业课又有哪些呢？不同专业方向有不同的课程，很难面面俱到。这里先简单罗列一下，有微机原理与接口技术（也称单片机）、开关电源设计、可编程逻辑器件（PLD）应用、可编程逻辑控制（PLC）应用、变频器应用、通信电路、数字集成电路分析与设计、DSP、嵌入式等等。可能有同学要问：这么多东西，大学阶段要想都学好不容易吧？答案是不仅是不容易，而且是不可能。这些技术每一门展开来都是复杂的一套知识，可以说，你只要精通其中一门，就可以到外边找个不错的工作了。而且在大学阶段，这些课程也不是都要学的，而是针对不同专业方向选修其中几门（具体选哪几门，多研究研究你们各自的专业培养方案，多请教老师），学的时候争取能动基本用法即可，真正的应用和深入是要到工作后的；当然你若很勤奋或有天赋，能熟练掌握某一门达到开发产品的程度，那毕业后找个好工作就轻而易举了。到这里我们需要再明确一点：电子领域知识繁多、浩如烟海，所以一般搞硬件的公司都有较多的员工，一个研发项目是多人细致分工、共同完成的，所以我们经常会听到团队意识这个名词。因为一个人的能力有限，不可能掌握所有的知识。比如一些人专门负责搞驱动，一些人专门从事逻辑设计，一些人专门搞高频无线，一些人专门搞测试，一些人专门设计外壳，一些人专门设计电路板等等。看到这里可能有的同学头都大了：那说来说去大学阶段到底究竟应该学些什么呢？说实话写到这里我的头也大了，电子设计涉及方方面面的东西太多了，实在不是一篇文章甚至一本书能说得清楚的。所以我决定剔除这些生涩的课程名目，大致说一下我所认为的一个电类学生或是想要成为电子工程师的自学者应该掌握的基本的专业技能。我认为：除了最初提到的电路分析、模拟电路、数字电路基础知识外，应了解并掌握电子元器件识别与选用指导、基本仪器仪表的使用、一些常用电路模块的分析与设计、单片机的应用、PLD的应用、仿真软件的应用、电路板设计与制作、电子测量与电路测试。电子元器件的识别与使用就不用说了，这是元素级的基础，不过要想掌握好也并不容易，一些电子系学生毕业了，还认不出二极管、三极管实物、分不清电解电容的正负极等等，也不是没有的事。还是一句话，多进进实验室，多跑跑电子市场，多看看书。492012年下半年实践科技创新基地电子组培训计划 仪器仪表的使用，大学的实验课中你至少会用过数字万用表，波形发生器、电源、示波器、小电机、单片机仿真机，至少要把这些东西的接线方法和用法弄懂吧。常用电路模块也是包罗万相，各种放大电路、比较器、AD转换电路、DA转换电路、微分电路、积分电路，还有各种数字逻辑单元电路等等，只能说，大致了解吧，并学会怎么去查资料、查芯片查管脚。最基本的，做实验或课程设计中用到的各种芯片要弄熟。单片机，这是应该掌握的。时下单片机种类繁多，但各大小企业用得最多的还是51系列单片机，而且价格便宜、学习资料也最全，故给自学者推荐。当然各学校开课讲的单片机型号会有所不同，没关系，学好单片机编程，学好了一种，再学别的单片机就容易了。PLD（可编程逻辑器件），一种集成电路芯片，提供用户可编程，实现一定的逻辑功能。对可编程逻辑器件的功能设定（即要它实现什么功能）要有设计者借助开发工具，通过编写程序来实现，这跟单片机类似。开发工具可学习Altera公司的QuartusII软件（这是该公司的第4代PLD开发软件，第3代是MAX+PLUSII软件）。编程语言学习硬件描述语言VHDL或VerilogHDL。仿真软件最基本的就是前面说的Multisim了，另外还可学MATLAB。其他的试专业情况选学或是工作后学。电路板设计与制作主要是用Protel软件辅助进行。这在前面已有介绍，读者应该也比较熟悉。最后建议同学们积极与各类电子竞赛赛事，参加一场比赛一个项目做下来，电子设计的一个流程和各环节的基础知识就能串起来了，对知识的融会贯通及今后走向工作岗位都有莫大裨益。以上这些东西我说得笼统，深入下去又是一大堆要学的东西。还是那句话，多啃书本、多实践！清华大学出版社有一套“电子电路循序渐进系列教程”是按照上面我所讲的那个思路出的，可惜好像还没出全，现在好像只有《单片机在电子电路设计中的应用》、《电路设计与制板——Proetl应用教程》、《仿真软件教程——Multisim和MATLAB》、《常用电路模块分析与设计指导》几本。另外听听你们老师的意见、师兄师姐的意见，问问他们应读些什么书，当然也不能尽听尽信，翻开一本书我想你先大致看看他讲得是否通俗，自己琢磨着能看懂几分？我想能有5分懂这本书就值得一看了，示自己现阶段的知识情况，太浅显的书不用看了，太深的书也不要去看，看得迷迷糊糊还打击自信心丧失了兴趣。好了，就此停笔吧。本来是要写个书目推荐，可干瘪瘪的罗列一堆书目有什么意义？还是写下这些字，让同学们自己去思考去选择去深入吧，希望能对你们有所帮助。最后一句老生常谈也是我的切肤之痛：大学四年会一晃而过，要学的东西太多太多，不要虚度光阴。及时当努力，岁月不待人！492012年下半年实践科技创新基地电子组培训计划 八、会议记录（一）、492012年下半年实践科技创新基地电子组培训计划 （二）、492012年下半年实践科技创新基地电子组培训计划 （二）、492012年下半年实践科技创新基地电子组培训计划 （二）、492012年下半年实践科技创新基地电子组培训计划 （二）、492012年下半年实践科技创新基地电子组培训计划 （二）、492012年下半年实践科技创新基地电子组培训计划 （二）、492012年下半年实践科技创新基地电子组培训计划 （二）、492012年下半年实践科技创新基地电子组培训计划 （二）、492012年下半年实践科技创新基地电子组培训计划 （二）、492012年下半年实践科技创新基地电子组培训计划 九、网上如何搜索有用学习资料日常生活中，我们学习的途径有很多，在信息化时代，学会如何使用网络搜索有用资料，便显得尤为重要，现在就网上搜索“消息的标题”作如下说明：1、进入百度，点击文库2、在标题栏中输入“消息的标题”，并选择自己所需的文本格式，如：PPT3、点击“搜索文档”492012年下半年实践科技创新基地电子组培训计划 4、可选择“第3讲课件（消息标题）”进入5下载此文档需要财富值20，若是需要0财富值则可直接下载此文档，遇到这样的情况，如果自己不是会员，可进行注册，如下图492012年下半年实践科技创新基地电子组培训计划 进行注册出现如下窗口492012年下半年实践科技创新基地电子组培训计划 6、可将自己原有的一些文章进行分享，从而获得财富值，进而进行自己所需文档的下载除此之外，还可浏览此文档下侧与右侧的一些相关文档，进一步学习有关消息的写法附：在查找资料时，往往需要我们输入关键词，所谓关键词，就是我们输入搜索框中的文字，关键词一般为名词，可以是中文（拼音）、英文、数字或它们的混合体。选择关键词必须注意贴近搜索目的，简明扼要，避免一词多意，少用修饰词，不用过于通俗口语化的词语以及那些缺乏实际意义的副词、连词之类的词。如果针对二个以上的关键词，可在各个关键词中添加空格键进行搜索。如：我们对“消息的标题”进行就搜索，就可输入“消息（空格）标题”，这样便会有更多的资源方便我们选择。492012年下半年实践科技创新基地电子组培训计划 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