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- 2022-04-22 11:30:48 发布
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第四章习题答案1.半导体随机读写存储器简称RAM,分为双极型和MOS型两种。双极型RAM工作速度高,但制造工艺复杂,成本高,功耗大,集成度低,主要用于高速工作场合。MOS型RAM又分为静态RAM和动态RAM两种,制造工艺简单,成本低,功耗小,集成度高,但工作速度比双极型RAM低。目前大容量的RAM都采用MOS型存储器。RAM的优点是读写方便,使用灵活;缺点是断电后存于RAM的信息会丢失,它是易失性存储器。只读存储器简称ROM,它只能读出,不能写入。工作时,将一个给定的地址码加到ROM的地址输入端,此时,便可在它的输出端得到一个事先存入的确定数据。只读存储器的最大优点是具有不易失性,即使供电电源切断,ROM中存储的信息也不会丢失。只读存储器存入数据的过程,称为对ROM进行编程。根据编程方法不同,ROM分为以下四类:掩膜式只读存储器、一次编程只读存储器、多次改写编程的只读存储器和闪速存储器。2.地址线12位,数据线8位,32768个存储元。3.最小项表达式为:F1=(3,7,8,11,12)F2=(1,2,4,5,6,7,8,9,10,11,13,14)F3=(0,1,3,4,5,6,7,8,9,11,12,13,14,15)阵列图为:4.真值表如下:8421码余三码BBBBGGGG32103210000000110001010000100101001101100100011101011000
01101001011110101000101110011100最小项表达式为:G3=(5,6,7,8,9)G2=(1,2,3,4,9)G1=(0,3,4,7,8)G0=(0,2,4,6,8)阵列图为:65.(1)输入为6位二进制数,输出也为6位二进制数。所以,所需容量为:2*6=384(2)输入为8位二进制数,输出为3位BCD码,12位二进制数,所以,所需容8量为:2*12=30726.设输入为角度数,用2位BCD码表示,输出用3位BCD码表示。真值表如下:xsinxAAAABBBBCCCCDDDDEEEE321032103210321032100000000000000000000000110000000001010000010001010000011100010110000000001000011110010000000100000000阵列图(简化)如下所示。
7.经化简得F=ACD+ACD+BCDF=AB+AB+CD+CDF=B+C+D123阵列图为:8.真值表见第四题。经化简得:G=BBB+BBB+BBB3321321320G=BBB+BBB+BBBB23212103210G=BBB+BBB+BBB1310210310G=BB+BBB阵列图为:030210
9.真值表如下:ABCF1F2F3F4F5F6000000000001000001010000100011001001100010000101011001110100100111110001F=ABF=AB+ACF=ABC+ABCF=BCF=0F=C123456用FPLA较好,可节省空间。阵列图如下:10.真值表为:F=ABD+BCD+AC1F=ACD+ABC+ABCD+ABCD+ABC+ACD2F=BD+BD3ABCDF1F2F300000000001001001001000110110100001010101001100110111100100001010010111010100
10111011100011110110011101011111110阵列图如下:11.真值表为:n1n1n1n1Q4Q3Q2Q1Q4Q3Q2Q1Z000000010000100110001100100001001100011001110011101010010101000010011000110011010
110100001n1n1化简得:Q=QQQQ=QQ+QQ+QQ43213432131n1n1Q=QQ+QQQ=QQ+QQ+QQ221311324132用D触发器实现,可得阵列图如下:
12.5421BCD同步计数器状态转换表如下页所示:n1n1由该表可得Q=QQ+QQQ=QQQ443433321n1n1Q=QQ+QQQ=QQ所以,22121131J=K=QJ=QQK=1J=K=QJ=QK=14433213221131n1n1n1n1Q4Q3Q2Q1QQQQZ43210000000100001001000010001100011010000100100001000100101001101001010101101011110001100000015421BCD七段显示译码真值表如下:DCBAabcdefg显示000000000010000110011111001000100102001100001103010010011004100001001005100101000006101000011117101100000008110000001009由于DCBA=QQQQ,所以可化简得到4321a=QQ+QQQb=QQQc=QQQ43421432421d=QQ+QQQ+QQQe=Q+QQ+QQ4342142134141f=QQ+QQg=QQQ+QQQ2141432421阵列图如下页所示
13.ACAC(n)=00时OLMC的简化逻辑图如下:01专用组合输出结构ACAC(n)=01时OLMC的简化逻辑图如下:01
专用输入结构ACAC(n)=10时OLMC的简化逻辑图如下:01寄存器模式ACAC(n)=11时OLMC的简化逻辑图如下:01时序电路组合输入输出结构
选通组合输出结构14.组合方式下,15脚和16脚没有和邻级相连,所以不能当输入端使用。允许的输入信号最多为14个,分布在2~9脚、12、13、14、17、18和19脚上。带反馈的组合方式下,19脚和12脚要为1脚和11脚提供到与阵列的通路,所以不能当输入端使用。允许的输入信号最多为14个,分布在2~9脚、13、14、15、16、17和18脚上。寄存器方式下,2~9脚和12~19脚均可作为输入信号使用。所以最多有16个。15.moduledecoderA0..A7pin1..8;CS0..CS4pin10..14;ABUS=[A0..A7];CS=[CS0..CS4];EquationsCS0=((ABUS>=^h0F0)&(ABUS<=^h0FF));CS1=((ABUS>=^h070)&(ABUS<=^h0EF));CS2=((ABUS>=^h0F)&(ABUS<=^h0F));CS3=((ABUS>=^h0C)&(ABUS<=^h0D));CS4=((ABUS>=^h08)&(ABUS<=^h0B));enddecoder16.moduledcountflag‘-r3’title‘counter’GAL2device‘P16V8R’;CLK,C1,C0,OEpin1,2,3,11;Q3,Q2,Q1,Q0pin14,15,16,17;D3,D2,D1,D0pin4,5,6,7;CK,X,Z=.c.,.x.,.z.;mode=[C1,C0];clear=[0,0];load=[0,1];down=[1,0];
up=[1,1];S0=^b1111;S1=^b1110;S2=^b1101;S3=^b1100;S4=^b1011;S5=^b1010;S6=^b1001;S7=^b1000;S8=^b0111;S9=^b0110;Equations![Q3,Q2,Q1,Q0]:=(mode==clear)&![1,1,1,1];![Q3,Q2,Q1,Q0]:=(mode==load)&![D3,D2,D1,D0];State_diagram[Q3,Q2,Q1,Q0]StateS0:case(mode==up):S1;(mode==down):S9;endcase;StateS1:case(mode==up):S2;(mode==down):S0;endcase;StateS2:case(mode==up):S3;(mode==down):S1;endcase;StateS3:case(mode==up):S4;(mode==down):S2;endcase;StateS4:case(mode==up):S5;(mode==down):S3;endcase;StateS5:case(mode==up):S6;(mode==down):S4;endcase;StateS6:case(mode==up):S7;(mode==down):S5;endcase;StateS7:case(mode==up):S8;(mode==down):S6;endcase;StateS8:case(mode==up):S9;(mode==down):S7;endcase;StateS9:case(mode==up):S0;(mode==down):S8;endcase;[CK,0,load,1,1,0,0]->S3;[CK,0,up,X,X,X,X,]->S4;[CK,0,load,0,1,1,0]->S9;enddcount17.modulecountertitle‘Acontrolledcounter’;
Q0..Q3pin12..15istype’reg’;CLK,Cpin1,2;Q=[Q0..Q3];EquationsQ:=(Q+1)&C;Q:=(Q==9)&!C&[0,0,0,0]#(Q+1)&(Q!=9);Q.c=CLK;Endcounter18.EPROM的存储内容可以根据需要来写入,当需要更新存储内容时还可以将原存储内容抹去,再写入新的内容。他的与阵列是固定的,或阵列是可编程的。FPLA是将ROM中的地址译码器改为乘积项发生器的一种可编程逻辑器件。它的与阵列和或阵列均可编程,既可实现组合逻辑,也可实现时序逻辑。GAL是PAL的换代产品。从基本原理来说,GAL期间仍采用与-或阵列结构。它是一种电可擦除的编程器件,采用“输出逻辑宏单元”结构大大增强了逻辑上的灵活性,使得一种GAL器件可以替代许多种PAL器件,特别适合于研制开发阶段使用。FPGA是一种可编程的大规模集成器件,它既有门阵列的结构和性能,又具有现场可编程的特点,而且可以反复地擦除和重新编程,适用于ASIC的研制。FPGA的体系结构核心是可组态的逻辑块。19.modulesetopaSCK,SDIpin1,2;ACKpin3;Q0..Q3pin16..19istype‘reg’;OEpin11;INTpin13istype‘reg’;Q=[INT,Q3..Q0];EquationsQ:=!ACK&[Q3,Q2,Q1,Q0,SDI]#ACK&[0,0,0,0,1];Q.c=SCK;Q.oe=OE;Endsetopa20.modulebukcodeCLK,RSTpin1,2;Q0..Q2pin13..15istype‘reg’;OUTpin16;Q=[Q0..Q2];S0=[0,0,0];S1=[0,0,1];S2=[0,1,0];S3=[0,1,1];S4=[1,0,0];
S5=[1,0,1];S6=[1,1,0];State_diagramQstateS0:ifRST==0thenS1withOUT=1;ElseS0;stateS1:ifRST==0thenS2withOUT=1;ElseS0;stateS2:ifRST==0thenS3withOUT=1;ElseS0;stateS3:ifRST==0thenS4withOUT=0;ElseS0;stateS4:ifRST==0thenS5withOUT=0;ElseS0;stateS5:ifRST==0thenS6withOUT=1;ElseS0;stateS6:ifRST==0thenS0withOUT=0;ElseS0;EquationsQ.c=CLK;Endbukcode'
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